拓荊創益(沈陽)半導體設備有限公司許鐵柱獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉拓荊創益(沈陽)半導體設備有限公司申請的專利邊緣環、加熱盤及半導體器件的加工設備獲國家實用新型專利權,本實用新型專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN223321256U 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的實用新型授權公告中獲悉:該實用新型的專利申請號/專利號為:202422114000.6,技術領域涉及:H01L21/687;該實用新型邊緣環、加熱盤及半導體器件的加工設備是由許鐵柱;李丹設計研發完成,并于2024-08-29向國家知識產權局提交的專利申請。
本邊緣環、加熱盤及半導體器件的加工設備在說明書摘要公布了:本實用新型提供了一種邊緣環、一種加熱盤及一種半導體器件的加工設備。所述邊緣環,設于加熱盤的邊緣區域之上,并與所述加熱盤中心區域的上升部保持一徑向的裝配間隙。所述邊緣環接觸并支撐晶圓的上表面為絕緣材質,而其接觸所述加熱盤的邊緣區域的下表面,以及其對準所述上升部的內側表面為導電材質。所述加熱盤接地。所述內側表面導電連接所述下表面,以經由所述加熱盤導出所述邊緣環與所述加熱盤之間的寄生電荷。本實用新型可以通過將邊緣環的內側表面與加熱盤的下表面導電連接,并將加熱盤接地,用于將邊緣環與加熱盤之間的寄生電荷導走,以降低異常放電的風險,從而減少顆粒物的產生,提高薄膜的顆粒度表現。
本實用新型邊緣環、加熱盤及半導體器件的加工設備在權利要求書中公布了:1.一種邊緣環,設于加熱盤的邊緣區域之上,并與所述加熱盤中心區域的上升部保持一徑向的裝配間隙,其特征在于,所述邊緣環接觸并支撐晶圓的上表面為絕緣材質,而其接觸所述加熱盤的邊緣區域的下表面,以及其對準所述上升部的內側表面為導電材質,其中,所述加熱盤接地,所述內側表面導電連接所述下表面,以經由所述加熱盤導出所述邊緣環與所述加熱盤之間的寄生電荷。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人拓荊創益(沈陽)半導體設備有限公司,其通訊地址為:110171 遼寧省沈陽市渾南區水家900號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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