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龍圖騰網獲悉武漢理工大學申請的專利一種用于制備二維通道薄膜的粘土礦物篩選方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119125200B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411233043.4，技術領域涉及：G01N23/20；該發明授權一種用于制備二維通道薄膜的粘土礦物篩選方法是由趙云良;陳立才;王雯博;張婷婷;張鑫設計研發完成，并于2024-09-04向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種用于制備二維通道薄膜的粘土礦物篩選方法在說明書摘要公布了：一種用于制備二維通道薄膜的粘土礦物篩選方法，涉及測試領域。用于制備二維通道薄膜的粘土礦物篩選方法通過將粘土礦物根據層電荷密度分成高層電荷密度礦物、中層電荷密度礦物和低層電荷密度礦物并分別進行超聲波處理剝片得到納米片，接著對粘土礦物的納米片的尺寸和厚度進行篩選得到滿足二維粘土薄膜尺寸的納米片，最后將納米片制備成薄膜進行薄膜平整度測試，選擇可制備出具有高度有序二維通道薄膜的粘土材料。本申請提供的用于制備二維通道薄膜的粘土礦物篩選方法能夠快速、高效地篩選出易剝片、易構筑成膜的粘土礦物，填補了二維粘土通道薄膜原料篩選方法的空白。

本發明授權一種用于制備二維通道薄膜的粘土礦物篩選方法在權利要求書中公布了：1.一種用于制備二維通道薄膜的粘土礦物篩選方法，其特征在于，包括以下步驟： 根據層電荷密度將粘土礦物分為高層電荷密度礦物、中層電荷密度礦物和低層電荷密度礦物； 將高層電荷密度粘土礦物、中層電荷密度礦物和低層電荷密度礦物分散至水中分別在t0-tn時間范圍進行超聲波剝片處理得到納米片，檢測各種所述納米片的平均片徑尺寸a和平均厚度b； 將各種所述納米片的平均片徑尺寸a和平均厚度b與目標納米片的平均片徑尺寸a0和平均厚度b0進行對比：若bb0，則所述納米片對應黏土礦物不適合制備二維通道薄膜；若b≤b0，aa0，則在對應t0-tn時間范圍內縮短超聲波時間進行剝片后得到納米片重新對比，若可以滿足b≤b0，a≥a0，則納米片滿足尺寸要求；若無法滿足b≤b0，a≥a0，所述納米片對應黏土礦物不適合制備二維通道薄膜； 將滿足尺寸要求的粘土礦物納米片在水中分散均勻后得到鑄膜液，然后抽濾制膜干燥得到待測薄膜； 測試所述待測薄膜的平整度c，將待測薄膜的平整度c與目標薄膜的平整度c0進行對比，若cc0，粘土礦物不適合制備二維通道薄膜；若c≥c0，粘土適合制備二維通道薄膜。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人武漢理工大學，其通訊地址為：430070 湖北省武漢市洪山區珞獅路122號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。