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龍圖騰網獲悉蘇州國微納半導體設備有限公司申請的專利一種具有高效過濾的半導體鍍膜用真空排氣設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119793117B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202411993309.5，技術領域涉及：B01D50/20；該發明授權一種具有高效過濾的半導體鍍膜用真空排氣設備是由陳睿;陳以國;龐浩楠;孟曉燕設計研發完成，并于2024-12-31向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種具有高效過濾的半導體鍍膜用真空排氣設備在說明書摘要公布了：本發明涉及半導體鍍膜設備排氣過濾領域，且公開了一種具有高效過濾的半導體鍍膜用真空排氣設備，包括排氣設備和主管，所述主管的底部設有有副管，所述副管的形狀為U形，所述副管的內部設有加熱結構和冷卻結構，所述加熱結構與冷卻結構相互聯動，本發明提供的具有高效過濾的半導體鍍膜用真空排氣設備高效過濾的半導體鍍膜用真空排氣設備設有副管，副管的內部設有加熱結構和制冷結構，加熱和制冷結合在一起后當排出的有雜質氣體進入副管內后先進行加熱再冷卻，引導氣體雜質在冷卻區域沉積過濾，同時先加熱再冷卻可以出現極大的溫度反差，提升雜質沉積過濾效率，制冷結構內設有清理環，在雜質沉積在副管的表面時，清理環可以進行附著雜質清理。

本發明授權一種具有高效過濾的半導體鍍膜用真空排氣設備在權利要求書中公布了：1.一種具有高效過濾的半導體鍍膜用真空排氣設備，包括排氣設備（1）和主管（2），其特征在于：所述主管（2）的底部設有副管（3），所述副管（3）的形狀為U形，所述副管（3）的內部設有加熱結構（7）和冷卻結構（4），所述加熱結構（7）與冷卻結構（4）相互聯動，所述加熱結構（7）對氣流進行加熱，所述冷卻結構（4）對氣體進行冷卻形成溫差使雜質沉淀； 所述冷卻結構（4）包括制冷板（401），所述制冷板（401）的頂部設有控制端（408），所述副管（3）內壁的一側設有固定盤（409），所述固定盤（409）的一側轉動設有主齒輪（411），所述主齒輪（411）的頂部和底部均轉動設有副齒輪（410），所述副齒輪（410）與主齒輪（411）相嚙合，所述副齒輪（410）的一側轉動設有往復絲桿（405），所述往復絲桿（405）上滑動設有清理環（407）； 所述加熱結構（7）包括支撐盤（704），所述支撐盤（704）的頂部轉動設有導流輪（703），所述導流輪（703）的底部設有萬向軸（706），所述萬向軸（706）的底部貫穿支撐盤（704）且延伸至支撐盤（704）的外部，所述萬向軸（706）的數量為兩個，兩個所述萬向軸（706）相對一側之間固定設有控制桿（705），另一個所述萬向軸（706）的一側與主齒輪（411）的一側相固定連接，所述副管（3）一側的外部設有加熱板（701），所述副管（3）內壁一側的頂部設有錐形環（702）。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人蘇州國微納半導體設備有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市高新區通安鎮華金路225號5幢；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。