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龍圖騰網獲悉惠州市廣大碳基半導體有限公司申請的專利一種碳化硅MOSFET的浪涌性能測試方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119758015B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510016032.9，技術領域涉及：G01R31/26；該發明授權一種碳化硅MOSFET的浪涌性能測試方法是由陳仁南;陳軍楠設計研發完成，并于2025-01-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種碳化硅MOSFET的浪涌性能測試方法在說明書摘要公布了：本申請涉及半導體器件測試技術領域，具體涉及一種碳化硅MOSFET的浪涌性能測試方法，包括：在不同浪涌電流峰值下對碳化硅MOSFET進行浪涌性能測試，獲取各源漏電壓向量；提取源漏電壓向量的各IMF模態分量，分析各IMF模態分量的無規則復雜度，并根據各IMF模態分量內的突變點確定時域干擾度，通過各IMF模態分量在頻域中的特征得到頻域干擾度，計算各IMF模態分量的時頻干擾度，篩選源漏電壓向量中的目標分量，利用小波融合算法進行波形重構，通過對各源漏電壓重構波形的對比，得到碳化硅MOSFET的最大浪涌電流。本申請可提高碳化硅MOSFET的浪涌性能測試結果準確性。

本發明授權一種碳化硅MOSFET的浪涌性能測試方法在權利要求書中公布了：1.一種碳化硅MOSFET的浪涌性能測試方法，其特征在于，包括以下步驟： 在不同浪涌電流峰值下對碳化硅MOSFET進行浪涌性能測試，并對每次測試過程中碳化硅MOSFET的源漏電壓波形進行采樣，得到每次測試過程中的源漏電壓向量； 提取源漏電壓向量的各IMF模態分量，分析各IMF模態分量內模態值的變化差異以及各IMF模態分量內模態值變化的混亂程度，確定各IMF模態分量的無規則復雜度，并根據各IMF模態分量內突變點的數量以及突變點之間的距離關系，得到各IMF模態分量的突變分布距離，結合所述無規則復雜度確定各IMF模態分量的時域干擾度； 通過各IMF模態分量在頻域中所有頻率的頻域能量的平均水平以及頻域能量的變化情況，得到各IMF模態分量的頻域干擾度，結合各IMF模態分量的時域干擾度，以確定各IMF模態分量的時頻干擾度； 基于各源漏電壓向量所有IMF模態分量的時頻干擾度，篩選各源漏電壓向量中的目標分量，并利用小波融合算法進行波形重構，得到每次測試過程的源漏電壓重構波形，通過對各源漏電壓重構波形的對比，得到碳化硅MOSFET的最大浪涌電流； 所述各IMF模態分量的無規則復雜度的計算方法為： ，式中，為第d個IMF模態分量的無規則復雜度，和分別為第d個IMF模態分量的一階差分向量的元素均值、二階差分向量的元素均值，和分別為第d個IMF模態分量的一階差分向量內所有元素的信息熵、二階差分向量內所有元素的信息熵，為避免分母為0的常數。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人惠州市廣大碳基半導體有限公司，其通訊地址為：516000 廣東省惠州市仲愷高新區潼僑鎮聯發大道南面華創偉工業園廠房第4棟1樓A區；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。