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龍圖騰網獲悉清華大學申請的專利超導薄膜的物理參數的測量裝置及測量方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN119986489B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510173279.1，技術領域涉及：G01R33/12；該發明授權超導薄膜的物理參數的測量裝置及測量方法是由曹宗正;張定設計研發完成，并于2025-02-17向國家知識產權局提交的專利申請。

本超導薄膜的物理參數的測量裝置及測量方法在說明書摘要公布了：本申請提供了一種超導薄膜的物理參數的測量裝置及測量方法，該測量裝置包括測量結構和磁場發生器，測量結構包括本體部和互感線圈，本體部設有腔體；腔體用于容納超導薄膜并用于填充離子液體；本體部包括多個活性電極及調控電極；多個活性電極包括間隔分布的第一電流電極和第二電流電極、第一霍爾電極和第二霍爾電極；第一電流電極設置在第一邊緣區域，第二電流電極設置于第三邊緣區域，第一霍爾電極設置于第二邊緣區域，第二霍爾電極設置于第四邊緣區域。互感線圈位于超導薄膜的至少一側；磁場發生器位于腔體的外側。可原位調控并測量得到對應的載流子濃度和倫敦穿透深度，從而建立超導薄膜的倫敦穿透深度隨載流子濃度的變化而變化的量化規律。

本發明授權超導薄膜的物理參數的測量裝置及測量方法在權利要求書中公布了：1.一種超導薄膜的物理參數的測量裝置，其特征在于，包括： 測量結構，包括本體部和互感線圈，所述本體部設有腔體；所述腔體用于容納超導薄膜并用于填充離子液體；所述本體部包括多個活性電極及調控電極；所述調控電極與所述活性電極被配置為通過它們之間的調控電壓驅動所述離子液體中的離子摻雜進所述超導薄膜內；所述多個活性電極位于所述超導薄膜遠離所述腔體底面的表面上，所述多個活性電極包括間隔分布的第一電流電極、第二電流電極、第一霍爾電極和第二霍爾電極；所述超導薄膜遠離所述腔體的表面包括第一邊緣區域、第二邊緣區域、第三邊緣區域和第四邊緣區域，所述第一邊緣區域和所述第三邊緣區域相對設置且均沿第一方向延伸，所述第二邊緣區域和所述第四邊緣區域相對設置且均沿第二方向延伸，所述第一方向與所述第二方向垂直；所述第一電流電極設置在所述第一邊緣區域，所述第二電流電極設置于所述第三邊緣區域，所述第一霍爾電極設置于所述第二邊緣區域，所述第二霍爾電極設置于所述第四邊緣區域；所述互感線圈位于所述超導薄膜的至少一側，用于向所述超導薄膜施加互感磁場并獲取由于所述超導薄膜內部磁場變化而產生的互感信號； 磁場發生器，位于所述腔體的外側，用于向所述超導薄膜施加垂直于所述腔體底面的方向上的霍爾磁場。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人清華大學，其通訊地址為：100084 北京市海淀區清華園；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。