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龍圖騰網獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利半導體結構及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120111934B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510587924.4，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權半導體結構及其制備方法是由黃艷麗;陳濤設計研發完成，并于2025-05-08向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體結構及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種半導體結構及其制備方法，包括：半導體襯底、柵極結構、第二導電類型的源區和漏區。半導體襯底內有第一導電類型的阱區；源區和漏區位于阱區的上表層；柵極結構位于阱區的上表面，漏區和源區在第一方向上分別位于柵極結構兩側，柵極結構包括依次層疊的柵介質層、半導體層及位于半導體層內的第二導電類型的第一摻雜區和第一導電類型的第二摻雜區，其中第二摻雜區在第一方向上的寬度小于第一摻雜區，第一、第二摻雜區分別位于柵極結構靠近漏區和源區的一側，均位于半導體層的上表層，且分別具有第一預設深度和大于第一預設深度的第二預設深度。本發明的半導體結構及其制備方法可防止器件工作過程中預夾斷，同時降低米勒平臺時間。

本發明授權半導體結構及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構，其特征在于，包括： 半導體襯底，所述半導體襯底內具有第一導電類型的阱區； 第二導電類型的源區及第二導電類型的漏區，所述源區及所述漏區位于所述阱區的上表層； 柵極結構，位于所述阱區的上表面，且所述源區及所述漏區在第一方向上分別位于所述柵極結構兩側，所述柵極結構包括依次層疊的柵介質層及半導體層，且包括位于所述半導體層內的第二導電類型的第一摻雜區及第一導電類型的第二摻雜區，所述第一摻雜區在所述第一方向上位于所述柵極結構的靠近所述漏區的一側，所述第二摻雜區在所述第一方向上位于所述柵極結構的靠近所述源區的一側，所述第一摻雜區在所述第一方向上的寬度大于所述第二摻雜區在所述第一方向上的寬度，所述第一摻雜區位于所述半導體層的上表層且具有第一預設深度，所述第二摻雜區位于所述半導體層的上表層且具有第二預設深度，所述第二預設深度大于第一預設深度，在所述第一方向與第二方向確定的平面上，所述第二摻雜區的截面面積為所述半導體層的截面面積的14~12，所述第二方向與所述第一方向相互垂直。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。