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龍圖騰網獲悉青禾晶元(天津)半導體材料有限公司申請的專利一種碳化硅復合襯底及其制備方法和應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120174487B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510653436.9，技術領域涉及：C30B29/36；該發明授權一種碳化硅復合襯底及其制備方法和應用是由劉之鵬;劉福超;母鳳文;郭超;譚向虎設計研發完成，并于2025-05-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種碳化硅復合襯底及其制備方法和應用在說明書摘要公布了：本發明提供了一種碳化硅復合襯底及其制備方法和應用，所述制備方法包括以下步驟：（1）對供體襯底進行剝離層注入處理形成剝離層；（2）分別對底層襯底和供體襯底進行掩膜處理后，經離子注入處理分別在底層襯底和供體襯底上形成浮置結，得到改性底層襯底和改性供體襯底；（3）分別對改性底層襯底和改性供體襯底去膠處理后，將二者的離子注入面鍵合，經熱處理剝離去除剝離層，得到半成品復合襯底；（4）對半成品復合襯底進行掩膜處理后進行離子注入，經去膠、退火得到所述碳化硅復合襯底。本發明所述碳化硅復合襯底無需進行多次外延，且制備過程中無需高能量注入便可形成較深的浮置結，大幅度降低制備成本、所需劑量和注入時間。

本發明授權一種碳化硅復合襯底及其制備方法和應用在權利要求書中公布了：1.一種碳化硅復合襯底的制備方法，其特征在于，所述制備方法包括以下步驟： （1）提供兩個碳化硅襯底分別作為底層襯底和供體襯底，對供體襯底進行剝離層注入處理，在供體襯底的一側表面上形成剝離層； （2）分別對底層襯底的一側表面和供體襯底的剝離層的另一側進行第一掩膜處理后，經第一離子注入處理分別在底層襯底的一側表面和供體襯底的剝離層另一側上形成浮置結，得到改性底層襯底和改性供體襯底； （3）分別對改性底層襯底和改性供體襯底進行第一去膠處理后，將改性底層襯底和改性供體襯底的離子注入面鍵合后，經熱處理剝離去除剝離層，得到半成品復合襯底； （4）對半成品復合襯底被剝離的一側表面進行第二掩膜處理后進行第二離子注入處理，得到改性半成品復合襯底，對所述改性半成品復合襯底進行第二去膠處理后，經退火得到所述碳化硅復合襯底； 其中，所述剝離層注入處理的離子注入能量≤第一離子注入處理的離子注入能量+第二離子注入處理的離子注入能量； 步驟（1）所述剝離層注入處理的離子注入能量為45keV~350keV，步驟（2）所述第一離子注入處理的離子注入能量為45keV~350keV，步驟（4）所述第二離子注入處理的離子注入能量為50keV~370keV； 所述第一掩膜處理和第二掩膜處理的位置及寬度完全相同，進而使得所述第一離子注入處理和第二離子注入處理形成的浮置結的位置完全相同； 所述鍵合包括將底層襯底及供體襯底進行注入面鍵合，鍵合時，通過mark點進行對位，保證底層襯底及供體襯底注入浮置結的位置匹配。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人青禾晶元(天津)半導體材料有限公司，其通訊地址為：300451 天津市濱海新區濱海高新區濱海科技園漢港路與高泰道交口高泰道4號10號廠房-101、102；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。