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龍圖騰網獲悉申集半導體科技(徐州)有限公司申請的專利一種化合物半導體的制造方法和制造設備獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120174476B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510667667.5，技術領域涉及：C30B25/16；該發明授權一種化合物半導體的制造方法和制造設備是由黃小輝設計研發完成，并于2025-05-23向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種化合物半導體的制造方法和制造設備在說明書摘要公布了：本發明提供一種化合物半導體的制造方法及制造設備，該制造設備的氣體注入裝置設置若干工藝進氣通道，以及至少一個補償進氣通道。在半導體材料層的生長過程中，通過探測裝置獲取半導體材料層不同區域的各生長速率，并且根據生長速率判斷是否通過至少一個補償進氣通道通入補償氣體以同步進行氣體補償處理，補充半導體材料層生長所需的氣體第一源氣和或第二源氣，由此可以針對生長過程中出現的半導體材料層的不均勻性即時補充相應的源氣，減弱直至消除材料層的生長不均勻性，實現同一基片內、基片與基片之間以及基片的徑向方向上的不同圓周之間的半導體材料層的質量、厚度均勻，提高半導體材料的一致性和良率。

本發明授權一種化合物半導體的制造方法和制造設備在權利要求書中公布了：1.一種化合物半導體的制造方法，其特征在于，包括： 提供所述化合物半導體的制造設備，所述化合物半導體的制造設備設有探測裝置、氣體注入裝置和承載裝置，所述氣體注入裝置包括由若干工藝進氣通道及至少一個補償進氣通道組成的各進氣通道，各所述補償進氣通道設于所述若干工藝進氣通道所在的區域，至少一個所述補償進氣通道中，一個所述補償進氣通道位于所述氣體注入裝置的中心，所述承載裝置下方設置有旋轉裝置，所述旋轉裝置支撐所述承載裝置，并帶動所述承載裝置旋轉，所述補償進氣通道的數量為N，N為大于1的自然數，各所述補償進氣通道自所述氣體注入裝置的中心起沿所述氣體注入裝置的徑向排布； 將基片放置到所述制造設備內的承載裝置上； 控制所述制造設備內達到700~1200攝氏度的反應溫度及50~100毫巴的反應壓力，控制所述基片以10~1200rpm的速率繞承載所述基片的承載裝置的軸線旋轉，通過各所述工藝進氣通道向所述基片提供流量為MO的含三族元素的第一源氣和流量為MH的含五族元素的第二源氣，以在所述基片上進行半導體外延層的生長工藝，控制所述第二源氣的流量MH與所述第一源氣的流量MO的比MH:MO為30:1~5000:1； 所述生長工藝進行的過程中，利用所述探測裝置獲取半導體材料層在所述基片的徑向方向上不同區域的各生長速率； 所述生長工藝進行的過程中，根據各所述生長速率判斷是否通過至少一個所述補償進氣通道通入補償氣體以同步進行氣體補償處理，所述補償氣體為所述第一源氣或所述第二源氣； 其中，所述生長工藝進行的過程中，利用所述探測裝置獲取所述半導體材料層在所述基片的徑向方向上不同區域的各生長速率的步驟包括： 利用所述探測裝置獲取所述半導體材料層上第M-1個補償進氣通道所對應的基片區域的材料生長速度VM-1，以及獲取與所述第M-1個補償進氣通道相鄰的第M個補償進氣通道所對應的基片區域的材料生長速度VM，所述第M-1個補償進氣通道所對應的基片區域相較于所述第M個補償進氣通道所對應的基片區域更靠近所述基片的中心，M為大于等于2且小于等于N的正整數； 根據VM-1和VM的大小關系確定自所述第M-1個補償進氣通道所通入的補償氣體的類型及流量； 判斷VM-1VM后，自所述第M-1個補償進氣通道通入所述第二源氣，并控制流量為MM-1=γ1-VMVM-1MH； 其中，γ為補償系數，γ=0.8~1.2； 判斷VM-1VM后，自第M-1個補償進氣通道通入所述第一源氣，并控制流量為MM-1=αVMVM-1-1MO； 其中，α為補償系數，α=0.8~1.2。

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