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龍圖騰網(wǎng)獲悉廣東工業(yè)大學(xué)申請(qǐng)的專利一種利用反向能帶彎曲策略構(gòu)建范德華異質(zhì)結(jié)的方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN120224799B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-09發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202510695335.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F30/222；該發(fā)明授權(quán)一種利用反向能帶彎曲策略構(gòu)建范德華異質(zhì)結(jié)的方法是由鄭照強(qiáng);謝夏蓮;許鏈杰;陳美妃;招瑜設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2025-05-28向國家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種利用反向能帶彎曲策略構(gòu)建范德華異質(zhì)結(jié)的方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種利用反向能帶彎曲策略構(gòu)建范德華異質(zhì)結(jié)的方法，屬于二維材料光電器件領(lǐng)域。本發(fā)明的利用反向能帶彎曲策略構(gòu)建的范德華異質(zhì)結(jié)光電探測器以Bi2O2Se為n型半導(dǎo)體材料，以In2Se3為p型半導(dǎo)體材料，構(gòu)成具有Ⅱ型能帶排列的范德華異質(zhì)結(jié)光電探測器；所述范德華異質(zhì)結(jié)光電探測器中，Bi2O2Se的導(dǎo)帶底低于In2Se3的導(dǎo)帶底，Bi2O2Se的價(jià)帶頂?shù)陀贗n2Se3的價(jià)帶頂，In2Se3的能帶向上彎曲，Bi2O2Se的能帶向下彎曲，產(chǎn)生了由In2Se3指向Bi2O2Se的內(nèi)建電場，形成了反向能帶彎曲。本發(fā)明構(gòu)建的范德華異質(zhì)結(jié)制成的光電探測器具有高探測率、寬波段的特性。

本發(fā)明授權(quán)一種利用反向能帶彎曲策略構(gòu)建范德華異質(zhì)結(jié)的方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種利用反向能帶彎曲策略構(gòu)建的范德華異質(zhì)結(jié)光電探測器，其特征在于，以Bi2O2Se為n型半導(dǎo)體材料，以In2Se3為p型半導(dǎo)體材料，構(gòu)成具有Ⅱ型能帶排列的范德華異質(zhì)結(jié)光電探測器； 所述范德華異質(zhì)結(jié)光電探測器中，Bi2O2Se的導(dǎo)帶底低于In2Se3的導(dǎo)帶底，Bi2O2Se的價(jià)帶頂?shù)陀贗n2Se3的價(jià)帶頂，In2Se3的能帶向上彎曲，Bi2O2Se的能帶向下彎曲，產(chǎn)生了由In2Se3指向Bi2O2Se的內(nèi)建電場，形成了反向能帶彎曲。

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