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龍圖騰網獲悉合肥晶合集成電路股份有限公司申請的專利半導體器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120239321B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510704629.2，技術領域涉及：H10D84/01；該發明授權半導體器件及其制造方法是由王淑娜;刁怡辰;宋富冉;周儒領設計研發完成，并于2025-05-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本申請涉及一種半導體器件及其制造方法，包括：提供包括高阻區的襯底，于高阻區內形成高阻區凹槽；于高阻區凹槽內依次形成第一介質層和高阻部件，第一介質層形成于高阻區凹槽底部，且第一介質層的表面低于襯底表面，所述高阻部件位于第一介質層上，且高阻部件的頂面高于襯底表面；于襯底和高阻部件上形成硅化物阻擋層，硅化物阻擋層至少暴露高阻部件的部分頂面；于暴露的高阻部件上形成硅化物層；于高阻區內形成連接高阻結構的高阻區連接件，高阻結構包括位于高阻區凹槽內的第一介質層、高阻部件和位于高阻部件上的硅化物層，高阻區連接件連接高阻部件上的硅化物層。本申請優化了工藝流程，提升了高阻區連接件的質量，減小了接觸電阻。

本發明授權半導體器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制造方法，其特征在于，包括： 提供襯底，所述襯底包括高阻區，于所述高阻區內形成高阻區凹槽； 于所述高阻區凹槽內依次形成第一介質層和高阻部件，所述第一介質層形成于所述高阻區凹槽的底部，且所述第一介質層的表面低于所述襯底的表面，所述高阻部件位于所述第一介質層上，且所述高阻部件的頂面高于所述襯底的表面； 于所述襯底和所述高阻部件上形成硅化物阻擋層，所述硅化物阻擋層至少暴露所述高阻部件的部分頂面； 于暴露的所述高阻部件上形成硅化物層； 于所述高阻區內形成連接高阻結構的高阻區連接件，所述高阻結構包括位于所述高阻區凹槽內的第一介質層、所述高阻部件和位于所述高阻部件上的硅化物層，所述高阻區連接件連接所述高阻部件上的硅化物層； 其中，所述襯底還包括與所述高阻區間隔設置的高壓區； 所述于所述高阻區內形成高阻區凹槽的過程包括： 于所述襯底上形成第一光刻膠層，所述第一光刻膠層暴露所述高阻區和所述高壓區； 以所述第一光刻膠層為掩膜刻蝕所述襯底，以形成所述高阻區凹槽，并于所述高壓區內形成高壓區凹槽； 去除所述第一光刻膠層。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥晶合集成電路股份有限公司，其通訊地址為：230012 安徽省合肥市新站區合肥綜合保稅區內西淝河路88號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。