中國科學院化學研究所李鵬飛獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院化學研究所申請的專利基于含硅聚合物的SiO2層應力調控方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120247039B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510724709.4，技術領域涉及：C01B33/12；該發明授權基于含硅聚合物的SiO2層應力調控方法是由李鵬飛;楊惠媛;張宗波;徐彩虹設計研發完成，并于2025-06-03向國家知識產權局提交的專利申請。
本基于含硅聚合物的SiO2層應力調控方法在說明書摘要公布了：本發明涉及基于含硅聚合物的SiO2層應力調控方法，屬于含硅聚合物技術領域。本發明方法中采用含硼化合物對含硅聚合物進行改性處理，改性后的含硅聚合物在熱退火處理中能夠避免出現氣孔和微區分相等常見缺陷，提高介質層的致密度，減少SiO2層的應力，改善其電氣性能和可靠性，本發明的工藝簡單，易于規?；a，本發明的方法可以對SiO2層應力寬范圍的自由調控，本發明中制備的SiO2層能夠在微電子器件中提供更高的性能表現，應用前景良好。
本發明授權基于含硅聚合物的SiO2層應力調控方法在權利要求書中公布了：1.基于含硅聚合物的SiO2層應力調控方法，其特征在于，包括如下步驟： （1）在惰性氣氛下，將含硼化合物和含硅聚合物的溶液進行反應，得到硼改性含硅聚合物前驅體，其中，所述的含硅聚合物中的Si元素與所述的含硼化合物中B元素的摩爾比為0.5:1~20:1； （2）將所述的硼改性含硅聚合物前驅體中加入催化劑，混合，在襯底上涂覆成膜，烘烤，熱退火處理，得到所述的SiO2層； 其中，步驟（2）中，所述的催化劑為金屬催化劑和或胺類催化劑。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人中國科學院化學研究所，其通訊地址為：100190 北京市海淀區中關村北1街中國科學院化學研究所；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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