微玖(蘇州)光電科技有限公司王程功獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉微玖(蘇州)光電科技有限公司申請的專利一種提升Micro LED光效的微顯示結構及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN120475834B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-09發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202510979162.2，技術領域涉及：H10H29/01；該發明授權一種提升Micro LED光效的微顯示結構及制備方法是由王程功;黃振;朱平;張宇設計研發完成，并于2025-07-16向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種提升Micro LED光效的微顯示結構及制備方法在說明書摘要公布了：本申請公開了一種提升MicroLED光效的微顯示結構及制備方法，結構包括：硅基CMOS驅動面板；由外延層形成的LED單元，所述LED單元與所述硅基CMOS驅動面板通過鍵合金屬層連接，且所述LED單元的陽極獨立設置；包裹于所述LED單元側壁的電子阻擋層，所述電子阻擋層表面刻蝕形成光學提取腔；覆蓋所述LED單元頂部的導電膜層，所述導電膜層將各LED單元的陰極共連；方法包括S1，第一鍵合金屬層制備；S2，透明導電膜層制備；S3，外延層金屬層制備；S4，共晶鍵合與襯底處理；S5，LED單元形成；S6，陽極獨立；S7，電子阻擋層生長；S8，光學提取腔形成；S9，陰極共連；本申請光效提升顯著，垂直方向亮度大幅度提升，適合大規模量產，制備成本低；大大增強了器件壽命。
本發明授權一種提升Micro LED光效的微顯示結構及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種提升MicroLED光效的微顯示結構，其特征在于，包括： 硅基CMOS驅動面板，所述硅基CMOS驅動面板表面設有鍵合金屬層； 由外延層形成的LED單元，所述LED單元與所述硅基CMOS驅動面板通過鍵合金屬層連接，且所述LED單元的陽極獨立設置； 包裹于所述LED單元側壁的電子阻擋層，所述電子阻擋層表面刻蝕形成光學提取腔； 覆蓋所述LED單元頂部的導電膜層，所述導電膜層將各LED單元的陰極共連。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人微玖(蘇州)光電科技有限公司，其通訊地址為：215000 江蘇省蘇州市工業園區雙溇里路3號合木·傳奇大廈816室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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