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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利一種半導體器件結構的形成方法和焊盤結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111106086B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201811260458.5，技術領域涉及：H01L23/488；該發明授權一種半導體器件結構的形成方法和焊盤結構是由請求不公布姓名設計研發完成，并于2018-10-26向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種半導體器件結構的形成方法和焊盤結構在說明書摘要公布了：本發明提供一種半導體器件結構的形成方法，包括：提供金屬層；在所述金屬層上形成保護層，在所述保護層形成開口以暴露出所述金屬層的一部分，被暴露出的所述金屬層部分作為焊盤；在所述保護層靠近所述開口的側壁形成斜面，所述斜面延伸面與所述金屬層所在平面具有第一夾角；其中，在形成所述開口的同時在所述保護層的開口區域周圍形成若干孔洞，再通過熱回流方法，使所述孔洞坍塌內縮，從而在所述開口的側壁形成斜面；在所述開口中形成焊球并向外延伸出引線。本發明還提供一種焊盤結構。本發明通過在保護層靠近開口的側壁形成斜面，可使引線平緩地越過保護層，從而降低引線的應力，進而提高產品的可靠性。

本發明授權一種半導體器件結構的形成方法和焊盤結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件結構的形成方法，包括： 提供金屬層； 在所述金屬層上形成保護層，在所述保護層形成開口以暴露出所述金屬層的一部分，被暴露出的所述金屬層部分作為焊盤，所述保護層包括鈍化層和位于所述鈍化層之上的隔離層；所述鈍化層為硅的氧化物層和硅的氮化物層的組合，所述硅的氧化物層形成于所述金屬層之上，所述硅的氮化物層形成于所述硅的氧化物層之上；所述隔離層為聚酰亞胺薄膜； 在所述保護層靠近所述開口的側壁形成斜面，所述斜面延伸面與所述金屬層所在平面具有第一夾角； 其中，在形成所述開口的同時在所述保護層的開口區域周圍形成若干孔洞，所述孔洞的深度相同或從所述開口向兩側呈遞減趨勢，所述孔洞的深度不少于所述保護層厚度的12，再通過熱回流方法，使所述孔洞坍塌內縮，從而在所述開口的側壁形成斜面； 在所述焊盤上形成焊球并向外延伸出引線。

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