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龍圖騰網獲悉株式會社電裝申請的專利半導體裝置獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115088080B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980102660.1，技術領域涉及：H10D30/60；該發明授權半導體裝置是由齋藤順;片岡惠太;山下侑佑;渡邊行彥;朽木克博;陰泳信設計研發完成，并于2019-12-03向國家知識產權局提交的專利申請。

本半導體裝置在說明書摘要公布了：一種半導體裝置，外周區域具有p型的多個表面耐壓區域和配置在比上述多個表面耐壓區域靠下側的p型的多個深部耐壓區域。將內周側表面耐壓區域與外周側表面耐壓區域之間的間隔的寬度設為Wsm，將上述內周側表面耐壓區域與上述外周側表面耐壓區域之間的表面間隔區域的n型雜質濃度設為Nsm－3，將位于上述表面耐壓區域與上述深部耐壓區域之間的深度范圍內的漂移區域的n型雜質濃度設為Nvm－3，將上述內周側表面耐壓區域與特定深部耐壓區域之間的間隔的寬度設為Wv1m，將上述外周側表面耐壓區域與特定深部耐壓區域之間的間隔的寬度設為Wv2m時，滿足NvWv1+Wv22＜Ns·Ws2的關系。

本發明授權半導體裝置在權利要求書中公布了：1.一種半導體裝置，其特征在于， 具有： 半導體基板； 與上述半導體基板的上表面相接的上部電極； 與上述半導體基板的下表面相接的下部電極；以及 與上述半導體基板的上述上表面相接的氧化物膜， 上述半導體基板具有元件區域及外周區域，在上述元件區域中上述上部電極與上述半導體基板的上述上表面相接，在上述外周區域中上述氧化物膜與上述半導體基板的上述上表面相接， 上述外周區域位于上述元件區域與上述半導體基板的外周端面之間， 上述元件區域具有連接在上述上部電極與上述下部電極之間的半導體元件， 上述外周區域具有p型的多個表面耐壓區域、p型的多個深部耐壓區域和n型的漂移區域， 上述多個表面耐壓區域與上述氧化物膜相接， 上述多個表面耐壓區域從內周側朝向外周側隔開間隔地配置， 上述多個深部耐壓區域配置在比上述多個表面耐壓區域靠下側， 上述多個深部耐壓區域從內周側朝向外周側隔開間隔地配置， 上述漂移區域將上述多個表面耐壓區域從上述多個深部耐壓區域分離，將上述表面耐壓區域彼此分離，將上述深部耐壓區域彼此分離， 將位于上述表面耐壓區域彼此之間的間隔中的上述漂移區域設為表面間隔區域，將位于上述深部耐壓區域彼此之間的間隔中的上述漂移區域設為深部間隔區域時，上述深部耐壓區域位于上述表面間隔區域的正下方，上述深部間隔區域位于上述表面耐壓區域的正下方， 各個上述深部耐壓區域從在內周側與自身相鄰的上述表面耐壓區域的正下方的位置延伸到在外周側與自身相鄰的上述表面耐壓區域的正下方的位置， 將上述多個深部耐壓區域中的1個設為特定深部耐壓區域，將在內周側與上述特定深部耐壓區域相鄰的上述表面耐壓區域設為內周側表面耐壓區域，將在外周側與上述特定深部耐壓區域相鄰的上述表面耐壓區域設為外周側表面耐壓區域，將上述內周側表面耐壓區域與上述外周側表面耐壓區域之間的間隔的寬度設為Wsm，將上述內周側表面耐壓區域與上述外周側表面耐壓區域之間的上述表面間隔區域的n型雜質濃度設為Nsm－3，將位于上述多個表面耐壓區域與上述多個深部耐壓區域之間的深度范圍內的上述漂移區域的n型雜質濃度設為Nvm－3，將上述內周側表面耐壓區域與上述特定深部耐壓區域之間的間隔的寬度設為Wv1m，將上述外周側表面耐壓區域與上述特定深部耐壓區域之間的間隔的寬度設為Wv2m時， 滿足NvWv1+Wv22＜Ns·Ws2的關系。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人株式會社電裝，其通訊地址為：日本愛知縣；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。