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龍圖騰網(wǎng)獲悉上海華力集成電路制造有限公司申請(qǐng)的專利一種BJT器件結(jié)構(gòu)及其制作方法獲國(guó)家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN113725291B 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202010446398.7，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D10/60；該發(fā)明授權(quán)一種BJT器件結(jié)構(gòu)及其制作方法是由王海濤;周曉君設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2020-05-25向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本一種BJT器件結(jié)構(gòu)及其制作方法在說(shuō)明書(shū)摘要公布了：本發(fā)明提供一種BJT器件結(jié)構(gòu)及其制作方法，P阱；位于P阱上的N+區(qū)；位于N+區(qū)上的阻擋層結(jié)構(gòu)，該阻擋層結(jié)構(gòu)為環(huán)繞N+區(qū)外圍的框型結(jié)構(gòu)；阻擋層結(jié)構(gòu)內(nèi)的區(qū)域?yàn)锽JT器件的發(fā)射區(qū)；發(fā)射區(qū)的所述N+區(qū)上設(shè)有多個(gè)相互間隔排布的STI區(qū)，P阱的上表面高于STI區(qū)的底部；位于發(fā)射區(qū)外圍的基區(qū)；位于基區(qū)外圍的集電區(qū)。本發(fā)明的BJT器件結(jié)構(gòu)及其制作方法，具有以下有益效果：本發(fā)明的BJT器件結(jié)構(gòu)由于發(fā)射區(qū)的STI區(qū)為不連續(xù)的結(jié)構(gòu)，可以顯著降低發(fā)射區(qū)和基區(qū)的復(fù)合電流。從而有效的提高BJT器件的放大系數(shù)。

本發(fā)明授權(quán)一種BJT器件結(jié)構(gòu)及其制作方法在權(quán)利要求書(shū)中公布了：1.一種BJT器件結(jié)構(gòu)，其特征在于，該結(jié)構(gòu)至少包括： P阱；位于所述P阱上的N+區(qū)；位于所述N+區(qū)上的阻擋層結(jié)構(gòu)，該阻擋層結(jié)構(gòu)為環(huán)繞所述N+區(qū)外圍的框型結(jié)構(gòu)；所述阻擋層結(jié)構(gòu)內(nèi)的區(qū)域?yàn)樗鯞JT器件的發(fā)射區(qū)；所述發(fā)射區(qū)的所述N+區(qū)上設(shè)有多個(gè)相互間隔排布的STI區(qū)，所述P阱的上表面高于所述STI區(qū)的底部；所述多個(gè)相互間隔排布的STI區(qū)其橫截面形狀為多個(gè)相互間隔排布的條形結(jié)構(gòu)，所述多個(gè)條形結(jié)構(gòu)等間隔排布于所述阻擋層結(jié)構(gòu)內(nèi)； 位于所述發(fā)射區(qū)外圍的基區(qū)； 位于所述基區(qū)外圍的集電區(qū)。

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