買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！

龍圖騰網獲悉芯恩(青島)集成電路有限公司申請的專利一種異質結雙極晶體管及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114256071B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202010993656.3，技術領域涉及：H10D10/01；該發明授權一種異質結雙極晶體管及其制造方法是由季明華;張汝京設計研發完成，并于2020-09-21向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種異質結雙極晶體管及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明提供一種異質結雙極晶體管及其制造方法，采用鰭替換技術，在襯底上形成鰭結構并在襯底中形成作為集電區的阱區，鰭片的底部連接到用作集電極的阱區。去除阱區對應的鰭片的第一部分，即挖空部分鰭片形成第一開口，然后沉積基區材料形成基極鰭，去除阱區對應的鰭片的剩余部分，即挖空鰭片的剩余部分形成第二開口，然后沉積基區，然后在基區上方形成發射區。分別在基極鰭和發射區外側形成基區外延蓋帽層和發射區外延蓋帽層。上述方法過易于集成到FinFET技術平臺上。本發明的異質結雙極晶體管的等效的基極和集電極電阻較小，并且晶體管的漏電流低，電學性能優異。并且易于與FinFET器件集成，提高了器件的集成度。

本發明授權一種異質結雙極晶體管及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種異質結雙極晶體管的制造方法，其特征在于，包括如下步驟： 提供襯底，在所述襯底上形成多個相互平行的長條狀的鰭片，并且在相鄰的鰭片之間形成隔離結構，所述隔離結構與所述鰭片齊平，所述鰭片包括第一鰭片區，所述第一鰭片區包括多個所述鰭片，所述鰭片沿長度方向分為第一部分和第二部分； 對所述襯底進行離子摻雜，在所述襯底中形成具有第二導電類型的阱區以形成集電區，所述阱區對應所述第一鰭片區； 去除所述第一鰭片區的所述鰭片的第一部分，以形成第一開口； 在所述第一開口中形成具有第一導電類型的第一半導體材料層以形成基極鰭，所述第二導電類型與所述第一導電類型相反； 去除所述第一鰭片區的所述鰭片的第二部分，以形成第二開口； 在所述第二開口中形成所述第一半導體材料層，在所述第二開口中的所述第一半導體材料層形成基區，所述第二開口中的所述第一半導體材料層的厚度小于所述第二開口的高度；在所述基區上方的第二開口中形成具有第二導電類型的第二半導體材料層以形成發射區。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人芯恩(青島)集成電路有限公司，其通訊地址為：266555 山東省青島市黃島區中德生態園團結路2877號ICIC辦公樓4樓；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。