三星電子株式會社張起碩獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利三維半導體存儲器件及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN112838096B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011308644.9，技術領域涉及：H10B43/35；該發明授權三維半導體存儲器件及其制造方法是由張起碩;黃昌善;閔忠基;徐基銀;林鐘欣設計研發完成，并于2020-11-20向國家知識產權局提交的專利申請。
本三維半導體存儲器件及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明涉及三維半導體存儲器件及其制造方法。該三維半導體存儲器件可以被提供，其包括：在第一基板上的外圍電路結構，該外圍電路結構包括外圍電路；在外圍電路結構上的第二基板；在第二基板上的電極結構，該電極結構包括堆疊在第二基板上的多個電極；以及穿透電極結構和第二基板的穿透互連結構。該穿透互連結構可以包括下絕緣圖案、在下絕緣圖案上的模制圖案結構、在下絕緣圖案與模制圖案結構之間的保護圖案、以及穿透插塞。該穿透插塞可以穿透模制圖案結構和下絕緣圖案，并且可以連接到外圍電路結構。該保護圖案可以處于比電極中的最下面一個的水平低的水平處。
本發明授權三維半導體存儲器件及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種三維半導體存儲器件，包括： 在第一基板上的外圍電路結構，所述外圍電路結構包括外圍電路； 在所述外圍電路結構上的第二基板； 在所述第二基板上的電極結構，所述電極結構包括堆疊在所述第二基板上的多個電極；以及 穿透所述電極結構和所述第二基板的穿透互連結構， 其中所述穿透互連結構包括下絕緣圖案、在所述下絕緣圖案上的模制圖案結構、在所述下絕緣圖案與所述模制圖案結構之間的保護圖案、以及穿透插塞， 所述穿透插塞穿透所述模制圖案結構和所述下絕緣圖案，并連接到所述外圍電路結構，以及 所述保護圖案在比所述多個電極中的最下面一個的水平低的水平處， 其中所述電極在第一方向上延伸，以及 當在與所述第一方向交叉的第二方向上測量時，所述下絕緣圖案的第一寬度大于所述保護圖案的第二寬度。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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