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龍圖騰網(wǎng)獲悉華為技術(shù)有限公司申請的專利存儲芯片、存儲設(shè)備及其訪問方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN116097233B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202080104318.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G06F13/16；該發(fā)明授權(quán)存儲芯片、存儲設(shè)備及其訪問方法是由王祥林;魯傚禹;劉光輝;金頎設(shè)計研發(fā)完成，并于2020-11-27向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本存儲芯片、存儲設(shè)備及其訪問方法在說明書摘要公布了：本申請?zhí)峁┮环N存儲芯片、存儲設(shè)備及其訪問方法，能夠解決存儲設(shè)備在總?cè)萘坎蛔兊那闆r下，單介質(zhì)顆粒的容量增加時，存儲器的訪問性能下降的問題，從而提高存儲器的訪問速率。該存儲芯片的控制器可以基于存儲通道和閃存介質(zhì)的數(shù)量關(guān)系，確定訪問閃存介質(zhì)的訪問模式。若訪問閃存介質(zhì)的訪問模式為寬口模式，如存儲通道的數(shù)量大于閃存介質(zhì)的數(shù)量時，控制器可以將多個存儲通道中的部分或全部合并，使合并后的第一通道中包括至少一個關(guān)聯(lián)存儲通道，并通過合并后的第一通道訪問閃存介質(zhì)，經(jīng)過存儲通道的合并可以增加相應(yīng)的閃存介質(zhì)可使用的存儲通道的數(shù)據(jù)線位寬，從而提升該存儲芯片的讀寫性能，進而提升存儲器的訪問效率。

本發(fā)明授權(quán)存儲芯片、存儲設(shè)備及其訪問方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種存儲芯片，其特征在于，包括：控制器以及與所述控制器耦合的多個存儲通道； 所述控制器，用于基于所述多個存儲通道的數(shù)量以及通過所述多個存儲通道耦合至所述控制器的閃存介質(zhì)的數(shù)量，確定訪問所述閃存介質(zhì)的訪問模式； 所述控制器，還用于若所述訪問模式為寬口模式，則將所述多個存儲通道合并為第一通道；其中，所述第一通道中包括至少一個關(guān)聯(lián)存儲通道，所述關(guān)聯(lián)存儲通道的數(shù)據(jù)線位寬為單個存儲通道的N倍，N為大于或等于2的正整數(shù)； 所述控制器，還用于通過所述第一通道訪問所述閃存介質(zhì)。

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