北京大學彭超獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉北京大學申請的專利一種二維光子晶體微腔獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114725774B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011522285.7，技術領域涉及：H01S5/10；該發明授權一種二維光子晶體微腔是由彭超;陳子豪設計研發完成，并于2020-12-21向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種二維光子晶體微腔在說明書摘要公布了：本發明提供了一種二維光子晶體微腔，包括：第一介質層、第二介質層及設置在所述第一介質層與第二介質層之間的光子晶體層；所述光子晶體層設有周期性排列的圓柱通孔，所述圓柱通孔垂直于所述第一介質層及第二介質層；所述光子晶體層包括中心區域和外圍區域；所述中心區域包括Na×Na個圓柱通孔，其中，Na為大于等于1的正整數；所述外圍區域包裹所述中心區域，用于抑制二維光子晶體微腔中能量從外圍區域泄漏或控制二維光子晶體微腔中能量向外圍區域輻射。本發明的光子晶體微腔具有較高的品質因數和優異的光學性能，尺寸非常小便于光器件集成。同時，對于加工中的工藝誤差具有良好的魯棒性，便于規模化工業生產。
本發明授權一種二維光子晶體微腔在權利要求書中公布了：1.一種二維光子晶體微腔，其特征在于，包括：第一介質層、第二介質層及設置在所述第一介質層與第二介質層之間的光子晶體層； 所述光子晶體層設有周期性排列的圓柱通孔，所述圓柱通孔垂直于所述第一介質層及第二介質層； 所述光子晶體層包括中心區域和外圍區域；所述中心區域包括Na×Na個圓柱通孔，其中，Na為大于等于1的正整數；所述外圍區域包裹所述中心區域，用于抑制二維光子晶體微腔中能量從外圍區域泄漏或控制二維光子晶體微腔中能量向外圍區域輻射；所述二維光子晶體微腔中心波長的禁帶可通過改變所述外圍區域中相鄰圓柱通孔的距離、所述外圍區域中圓柱通孔的半徑以及所述外圍區域與所述中心區域之間的間隔中的至少一者而形成。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京大學，其通訊地址為：100871 北京市海淀區頤和園路5號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號