聯華電子股份有限公司楊宗祐獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉聯華電子股份有限公司申請的專利高壓半導體裝置以及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114695549B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011601728.1，技術領域涉及：H10D30/65；該發明授權高壓半導體裝置以及其制作方法是由楊宗祐;李信宏;李年中;熊昌鉑設計研發完成，并于2020-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本高壓半導體裝置以及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開一種高壓半導體裝置以及其制作方法，其中該高壓半導體裝置包括半導體基底、隔離結構、柵極氧化物層與柵極結構。半導體基底包括通道區，隔離結構的至少一部分設置于半導體基底中且圍繞通道區。柵極氧化物層設置于半導體基底上，且柵極氧化物層包括第一部分與第二部分。第二部分設置于第一部分在水平方向上的兩相對側，第一部分的厚度大于第二部分的厚度。柵極結構設置于柵極氧化物層以及隔離結構上。
本發明授權高壓半導體裝置以及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種高壓半導體裝置，其特征在于，包括： 半導體基底，該半導體基底包括通道區； 隔離結構，其中該隔離結構的至少一部分設置于該半導體基底中且圍繞該通道區； 柵極氧化物層，設置于該半導體基底上，其中該柵極氧化物層包括： 第一部分；以及 第二部分，設置于該第一部分在水平方向上的兩相對側，其中該第一部分的厚度大于該第二部分的厚度，該第二部分于該水平方向上位于該第一部分與該隔離結構之間；以及 柵極結構，設置于該柵極氧化物層以及該隔離結構上。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人聯華電子股份有限公司，其通訊地址為：中國臺灣新竹市；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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