無錫華潤上華科技有限公司許超奇獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉無錫華潤上華科技有限公司申請的專利一種半導體器件及其制作方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114695247B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202011612640.X，技術領域涉及：H01L21/762；該發明授權一種半導體器件及其制作方法是由許超奇;林峰;陳淑嫻;張文文設計研發完成，并于2020-12-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種半導體器件及其制作方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種半導體器件及其制作方法，所述方法包括：在所述半導體襯底上形成掩膜結構，所述掩膜結構間形成第一開口和第二開口并露出所述半導體襯底；蝕刻所述半導體襯底，以在所述半導體襯底中形成第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽間的所述半導體襯底作為襯底引出區；去除部分所述掩膜結構，露出所述襯底引出區的上表面；進行離子注入，在所述第一凹槽的底部、所述第二凹槽的底部、所述襯底引出區的上表面、所述襯底引出區的側表面形成彼此連續的離子摻雜區；在所述第一凹槽和所述第二凹槽內填充介質，得到雙隔離槽。通過在半導體襯底中形成高摻雜濃度的離子摻雜區，避免了隔離結構中出現縫隙，實現了更好的隔離效果。
本發明授權一種半導體器件及其制作方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體器件的制作方法，其特征在于，包括： 提供半導體襯底，所述半導體襯底上形成掩膜結構，所述掩膜結構間形成第一開口和第二開口，所述第一開口和所述第二開口露出所述半導體襯底； 基于所述第一開口和所述第二開口蝕刻所述半導體襯底，以在所述半導體襯底中形成第一凹槽和第二凹槽，所述第一凹槽和所述第二凹槽間的所述半導體襯底作為襯底引出區； 去除部分所述掩膜結構，露出所述襯底引出區的上表面； 進行離子注入，在所述第一凹槽的底部、所述第二凹槽的底部、所述襯底引出區的上表面、所述襯底引出區的側表面形成彼此連續的離子摻雜區； 在所述第一凹槽和所述第二凹槽內填充介質，得到雙隔離槽。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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