清華大學王學雯獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉清華大學申請的專利一種基于二維材料的可人工設計邊界的陣列化神經網絡及其制備方法與應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN113053756B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110269787.1，技術領域涉及：H01L21/428；該發明授權一種基于二維材料的可人工設計邊界的陣列化神經網絡及其制備方法與應用是由王學雯;劉鍇設計研發完成，并于2021-03-12向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種基于二維材料的可人工設計邊界的陣列化神經網絡及其制備方法與應用在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于二維材料的可人工設計邊界的陣列化神經網絡及其制備方法與應用。它的制備方法，包括以下步驟：1通過氣相沉積法在基底上生長單晶過渡金屬化合物薄膜；2將步驟1所述的薄膜轉移至有介質層的基底上；3對步驟2中有介質層的基底上薄膜用激光按照指定路徑輻照，得到指定異質結構的樣品；4在所述指定異質結構的樣品表面采用電子束或熱蒸鍍的方法鍍上源極和漏極，即得到基于二維材料的可人工設計邊界的陣列化神經網絡。本發明由于亞納米級別的厚度和人工可調制的邊界以及可控生成的表面缺陷，有效地減小了金屬與電極之間肖特基勢壘，從而減少了開啟電壓，也使其能耗降低到人腦水平。
本發明授權一種基于二維材料的可人工設計邊界的陣列化神經網絡及其制備方法與應用在權利要求書中公布了：1.一種基于二維材料的可人工設計邊界的陣列化神經網絡的制備方法，包括以下步驟： 1）通過氣相沉積法在基底上生長單晶過渡金屬化合物薄膜； 2）將步驟1）所述的薄膜轉移至有介質層的基底上； 3）對步驟2）中有介質層的基底上薄膜用激光按照指定路徑輻照，得到指定異質結構的樣品； 所述激光按照指定路徑輻照后，激光掃描過的過渡金屬硫屬化合物區域仍然保持過渡金屬硫屬化合物的晶體結構且表面產生缺陷；未被激光掃描過的過渡金屬硫屬化合物區域晶體結構保持不變；激光掃描過的過渡金屬硫屬化合物和未被激光掃描過的過渡金屬硫屬化合物構成了異質結構； 4）在所述指定異質結構的樣品表面采用電子束或熱蒸鍍的方法鍍上源極和漏極，即得到基于二維材料的可人工設計邊界的陣列化神經網絡。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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