美光科技公司祐川光成獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉美光科技公司申請的專利形成半導體裝置的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114078782B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110652980.3，技術領域涉及：H10B12/00；該發明授權形成半導體裝置的方法是由祐川光成;中村吉孝設計研發完成，并于2021-06-11向國家知識產權局提交的專利申請。
本形成半導體裝置的方法在說明書摘要公布了：本申請涉及形成半導體裝置的方法。一種方法，包含形成第一構件，所述第一構件具有其中包含多個存儲電容器的第一部分和圍繞所述第一部分的第二部分；形成具有第三部分和圍繞所述第三部分的第四部分的凹形的第二構件，所述第三部分對應于所述凹形的下頂表面，所述第三部分在其中包含對應于所述多個存儲電容器設置的多個存取晶體管，所述第四部分對應于所述凹形的上頂表面；將所述第一構件堆疊在所述第二構件上以物理地連接所述第二部分和所述第四部分，并且在所述第一部分和所述第三部分之間具有間隙；切割所述第一構件以將所述第一部分與所述第二部分物理分離；以及接合分離的所述第一部分和所述第三部分，并填充其間的所述間隙。
本發明授權形成半導體裝置的方法在權利要求書中公布了：1.一種方法，其包括： 形成第一構件，所述第一構件具有其中包含多個存儲電容器的第一部分和圍繞所述第一部分的第二部分； 形成具有第三部分和圍繞所述第三部分的第四部分的凹形的第二構件，所述第三部分對應于所述凹形的下頂表面，所述第三部分在其中包含對應于所述多個存儲電容器設置的多個存取晶體管，所述第四部分對應于所述凹形的上頂表面； 將所述第一構件堆疊在所述第二構件上以物理地連接所述第二部分和所述第四部分，并且在所述第一部分和所述第三部分之間具有間隙； 切割所述第一構件以將所述第一部分與所述第二部分物理分離；以及 接合分離的所述第一部分和所述第三部分，并填充其間的所述間隙。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人美光科技公司，其通訊地址為：美國愛達荷州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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