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龍圖騰網獲悉力旺電子股份有限公司申請的專利非揮發性存儲器的存儲單元獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114512489B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202110930150.2，技術領域涉及：H10B41/35；該發明授權非揮發性存儲器的存儲單元是由賴宗沐;陳志欣;黎俊霄;林慶源設計研發完成，并于2021-08-13向國家知識產權局提交的專利申請。

本非揮發性存儲器的存儲單元在說明書摘要公布了：本發明公開一種非揮發性存儲器的存儲單元，包括：一N型區域、一N型阱區、一P型阱區、一第一p型摻雜區域、一第二p型摻雜區域與一第一n型摻雜區域。該N型阱區與該P型阱區形成于該N型區域中。該第一p型摻雜區域與該第二p型摻雜區域位于該N型阱區的表面。該柵極層位于該第一p型摻雜區域與一第二p型摻雜區域之間的該N型阱區表面上方。該第一n型摻雜區域位于該P型阱區的表面。該柵極層延伸至該P型阱區，并且該柵極層的一第一側相鄰于該第一n型摻雜區域。

本發明授權非揮發性存儲器的存儲單元在權利要求書中公布了：1.一種非揮發性存儲器的存儲單元，包括： N型區域； N型阱區與P型阱區，形成于該N型區域中； 第一p型摻雜區域與第二p型摻雜區域，位于該N型阱區的表面； 柵極層，位于該第一p型摻雜區域與第二p型摻雜區域之間的該N型阱區表面上方，且該柵極層自該N型阱區延伸至該P型阱區；以及 第一n型摻雜區域，位于該P型阱區的表面，且該第一n型摻雜區域相鄰于該柵極層的第一側； 其中，該柵極層、該N型阱區、該第一p型摻雜區域與該第二p型摻雜區域形成p型晶體管；該柵極層、該P型阱區、該第一n型摻雜區域形成晶體管電容，該晶體管電容與該p型晶體管與共用該柵極層；以及，該N型區域與該P型阱區形成二極管； 其中，該p型晶體管的第一漏源端連接至位線，該p型晶體管的第二漏源端連接至源極線，該P型阱區與該第一n型摻雜區域連接至字符線； 其中，該柵極層為浮動柵極層，且覆蓋該P型阱區的該柵極層包括p型柵極層與n型柵極層； 其中，該P型阱區的表面還包括第三p型摻雜區域；該柵極層延伸至該P型阱區，并且該柵極層的第二側相鄰于該第三p型摻雜區域；該柵極層的該第一側為該n型柵極層；且該柵極層的該第二側為該p型柵極層，該第三p型摻雜區域連接至該字符線。

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