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龍圖騰網(wǎng)獲悉中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所申請的專利超對稱半導(dǎo)體激光器及其應(yīng)用獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114640020B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210297390.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01S5/065；該發(fā)明授權(quán)超對稱半導(dǎo)體激光器及其應(yīng)用是由鄭婉華;傅廷;齊愛誼;王宇飛;周旭彥;王學(xué)友;陳靜瑄;戴迎秋;王明金設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-03-24向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本超對稱半導(dǎo)體激光器及其應(yīng)用在說明書摘要公布了：本公開涉及了一種超對稱半導(dǎo)體激光器及其應(yīng)用，其中超對稱半導(dǎo)體激光器包括：主陣列，主陣列的至少一部分的波導(dǎo)層具有有源區(qū)，以提供增益促使基橫模激射；以及超配對陣列，設(shè)置于主陣列的旁側(cè)，由超對稱變換得到超配對陣列，超配對陣列的波導(dǎo)層為無源區(qū)，以產(chǎn)生損耗并耗散高階橫模；其中，超對稱變換可從超配對陣列中濾除主陣列的基橫模所對應(yīng)的本征值，而保留主陣列的至少一部分高階橫模的本征值，主陣列和超配對陣列相互耦合，在外延方向上形成超對稱半導(dǎo)體激光器，實現(xiàn)以基橫模為主的激光輸出，減小半導(dǎo)體激光器的垂直遠場發(fā)散角，提高半導(dǎo)體激光器的橫向光束質(zhì)量。

本發(fā)明授權(quán)超對稱半導(dǎo)體激光器及其應(yīng)用在權(quán)利要求書中公布了：1.一種超對稱半導(dǎo)體激光器，包括： 主陣列（1），所述主陣列（1）的至少一部分的波導(dǎo)層具有有源區(qū)，以提供增益促使基橫模激射；以及 至少一個超配對陣列（2），設(shè)置于所述主陣列（1）的外延方向上的任一位置處，由超對稱變換得到至少一個所述超配對陣列（2），所述超配對陣列（2）的波導(dǎo)層為無源區(qū)，以產(chǎn)生損耗并耗散高階橫模，至少一個所述超配對陣列位于半導(dǎo)體激光器的N型側(cè)（3）、位于半導(dǎo)體激光器的P型側(cè)（5）、同時位于N型側(cè)（3）和P型側(cè)（5）； 其中，所述超對稱變換可從超配對陣列中濾除主陣列的基橫模所對應(yīng)的本征值，而保留主陣列的至少一部分高階橫模的本征值，所述主陣列（1）和所述超配對陣列（2）相互耦合，在外延方向上形成超對稱半導(dǎo)體激光器，通過對所述激光器進行電注入，以在所述主陣列和至少一個所述超配對陣列中形成電流，實現(xiàn)以基橫模為主的激光輸出。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人中國科學(xué)院半導(dǎo)體研究所，其通訊地址為：100083 北京市海淀區(qū)清華東路甲35號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。