麻省理工學院布倫丹·德里克·史密斯獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉麻省理工學院申請的專利多孔和納米多孔半導體材料及其制造獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111937120B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201980023528.1，技術領域涉及：H01L21/306；該發明授權多孔和納米多孔半導體材料及其制造是由布倫丹·德里克·史密斯;杰弗里·C·格羅斯曼設計研發完成，并于2019-04-05向國家知識產權局提交的專利申請。
本多孔和納米多孔半導體材料及其制造在說明書摘要公布了：描述了用于形成多孔或納米多孔半導體材料的方法。所述方法允許在半導體材料中以有利的孔尺寸、間距、孔體積、材料厚度和其他方面形成陣列孔或納米孔。還提供了多孔和納米多孔材料。
本發明授權多孔和納米多孔半導體材料及其制造在權利要求書中公布了：1.一種多孔半導體材料，包括： 半導體材料；和 在所述半導體材料中的多個孔，所述多個孔的平均孔徑小于20nm，以及其中所述多個孔限定了至少0.1％的按將總孔體積除以所述總孔體積加固體材料體積之和而測量的總體積孔隙率， 其中至少0.05％的所述孔從一個表面貫穿所述材料至相反的或不同的表面，以及 其中所述材料具有作為所述材料的最小截面的厚度，并且所述厚度為至少0.05微米。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人麻省理工學院，其通訊地址為：美國馬薩諸塞州；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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