北京量子信息科學研究院曹易獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北京量子信息科學研究院申請的專利真隨機數發生器及產生真隨機數的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN114937735B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210550931.3，技術領域涉及：H10N52/00；該發明授權真隨機數發生器及產生真隨機數的方法是由曹易;王超;任睿智;魯軍;譚浩設計研發完成，并于2022-05-18向國家知識產權局提交的專利申請。
本真隨機數發生器及產生真隨機數的方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種包括多層膜結構的真隨機數發生器，所述多層膜結構包括：導電層，配置成通入第一電流；第一磁性層，位于所述導電層之上，易磁化方向垂直于所述導電層與所述第一磁性層的交界面，配置成在所述第一電流的焦耳熱作用下，所述第一磁性層的磁矩克服翻轉能量勢壘向垂直于所述交界面向上或向下的方向隨機翻轉；自旋流抵消層，位于所述第一磁性層之上，用于抵消所述導電層與所述第一磁性層的交界面上產生的自旋流對所述第一磁性層的磁矩產生的自旋軌道矩。本發明所提供的真隨機數發生器，通過增加自旋流抵消層抵消了來自導電層的自旋軌道矩，克服了在自旋軌道耦合效應下的垂直磁化異質結器件的磁矩難以等概率發生向上和向下翻轉的問題。
本發明授權真隨機數發生器及產生真隨機數的方法在權利要求書中公布了：1.一種包括多層膜結構的真隨機數發生器，其特征在于，所述多層膜結構包括： 導電層，配置成通入第一電流； 第一磁性層，位于所述導電層之上，易磁化方向垂直于所述導電層與所述第一磁性層的交界面，配置成在所述第一電流的焦耳熱作用下，所述第一磁性層的磁矩克服翻轉能量勢壘向垂直于所述交界面向上或向下的方向隨機翻轉； 自旋流抵消層，位于所述第一磁性層之上，所述自旋流抵消層采用與所述導電層相同的材料制成，用于抵消所述導電層與所述第一磁性層的交界面上產生的自旋流對所述第一磁性層的磁矩產生的自旋軌道矩。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人北京量子信息科學研究院，其通訊地址為：100193 北京市海淀區中關村軟件園二期國際與區域協同創新中心A座；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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