晶元光電股份有限公司許啟祥獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉晶元光電股份有限公司申請的專利發(fā)光元件獲國家發(fā)明授權專利權，本發(fā)明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN116031344B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權授權公告中獲悉：該發(fā)明授權的專利申請?zhí)?專利號為：202310092470.4，技術領域涉及：H10H20/841；該發(fā)明授權發(fā)光元件是由許啟祥;陳昭興;王佳琨;曾咨耀設計研發(fā)完成，并于2018-12-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本發(fā)光元件在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開一種發(fā)光元件，其包含一半導體平臺；一包含金屬材料的第一反射結構位于半導體平臺上，并包含一第一開口；以及一包含絕緣材料的第二反射結構位于第一反射結構上，第二反射結構包含一第二開口，其中第一反射結構的第一開口露出第二反射結構的第二開口。
本發(fā)明授權發(fā)光元件在權利要求書中公布了：1.一種發(fā)光元件，其特征在于，包含： 半導體平臺，具有第一半導體層、第二半導體層以及活性層，位于該第一半導體層及該第二半導體層之間； 第一接觸電極，位于該第一半導體層上； 第二接觸電極，位于該第二半導體層上， 第一絕緣層，包含第一絕緣層第二開口位于該第二半導體層上并露出該第二接觸電極， 第一反射結構，覆蓋于該第一絕緣層之上，包含金屬材料，位于該半導體平臺上；以及 第二反射結構，覆蓋于該第一絕緣層之上，包含布拉格反射鏡DBR結構，并包含第二開口對應于該第一絕緣層第二開口的位置，且彼此形成為同心圓形狀，其中該第二接觸電極包含第二接觸延伸部，以及其中該第一反射結構包含第一反射延伸部，該第一反射延伸部位于該第二半導體層上，且該第一反射延伸部包含寬度，大于該第二接觸延伸部的寬度。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發(fā)布本報告當日的職業(yè)理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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