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龍圖騰網(wǎng)獲悉泰州中來光電科技有限公司申請的專利一種具有選擇性發(fā)射極的鈍化接觸太陽電池及其制備方法、組件和系統(tǒng)獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN114975691B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202210757239.8，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F71/00；該發(fā)明授權(quán)一種具有選擇性發(fā)射極的鈍化接觸太陽電池及其制備方法、組件和系統(tǒng)是由丁東;劉榮林;杜哲仁;全成;馬麗敏;陳嘉;林建偉設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2022-06-30向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本一種具有選擇性發(fā)射極的鈍化接觸太陽電池及其制備方法、組件和系統(tǒng)在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及太陽電池技術(shù)領(lǐng)域，公開一種具有選擇性發(fā)射極的鈍化接觸太陽電池及其制備方法、組件和系統(tǒng)。該電池的制備方法包括：n型晶硅襯底經(jīng)去損傷制絨后，在其正面制備硼摻雜發(fā)射極、正面隧穿氧化層和正面多晶硅層；對正面多晶硅層經(jīng)硼擴(kuò)散摻雜所得的初態(tài)輕摻雜多晶硅層的局域進(jìn)行激光掃描摻雜，使掃描區(qū)域形成重?fù)诫s多晶硅層；在重?fù)诫s多晶硅層正面制備覆蓋層，使非掃描區(qū)域的初態(tài)輕摻雜多晶硅層經(jīng)部分堿刻蝕形成末態(tài)輕摻雜多晶硅層；去除覆蓋層，并拋光晶硅襯底背面后，制備背面隧穿氧化層和背面磷摻雜多晶硅層；再進(jìn)行鈍化和金屬化。該方法既能保證其優(yōu)越鈍化特性，又不會(huì)出現(xiàn)明顯的寄生光吸收損耗，使接觸電阻最優(yōu)化，避免了晶硅襯底損傷。

本發(fā)明授權(quán)一種具有選擇性發(fā)射極的鈍化接觸太陽電池及其制備方法、組件和系統(tǒng)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種具有選擇性發(fā)射極的鈍化接觸太陽電池的制備方法，其特征在于，包括以下步驟： S1、對n型晶硅襯底進(jìn)行去損傷和制絨處理后，在晶硅襯底正面依次制備硼摻雜發(fā)射極、正面隧穿氧化層和正面多晶硅層； S2、對正面多晶硅層進(jìn)行硼擴(kuò)散摻雜，得到初態(tài)輕摻雜多晶硅層，再對初態(tài)輕摻雜多晶硅層的局域進(jìn)行激光掃描摻雜，使其掃描區(qū)域形成重?fù)诫s多晶硅層； S3、在重?fù)诫s多晶硅層正面制備抗堿刻蝕的覆蓋層，以對非掃描區(qū)域的初態(tài)輕摻雜多晶硅層進(jìn)行部分堿刻蝕，形成末態(tài)輕摻雜多晶硅層；其中，末態(tài)輕摻雜多晶硅層與初態(tài)輕摻雜多晶硅層的厚度之比為0.05～0.3：1； S4、去除覆蓋層，并拋光晶硅襯底的背面，再在晶硅襯底背面依次制備背面隧穿氧化層和背面磷摻雜多晶硅層； S5、對晶硅襯底依次進(jìn)行鈍化和金屬化處理，以在晶硅襯底正面依次制備鈍化減反層和接觸重?fù)诫s多晶硅層的正面金屬電極，并在晶硅襯底背面依次制備鈍化層和局域接觸背面磷摻雜多晶硅層的背面金屬電極。

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