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龍圖騰網獲悉合肥工業大學;合肥工業大學智能制造技術研究院申請的專利基于激基復合物的多量子阱結構改善OLED器件性能的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115295747B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202210908624.8，技術領域涉及：H10K85/60；該發明授權基于激基復合物的多量子阱結構改善OLED器件性能的方法是由胡俊濤;王玉樂;韓超磊;黃葉;蔣浩;羅派峰;方勇設計研發完成，并于2022-07-29向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于激基復合物的多量子阱結構改善OLED器件性能的方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種基于激基復合物的多量子阱結構改善OLED器件性能的方法，通過在fac?Irppy3的相鄰層交替插入CBP和B3PyMPM薄層，在CBPB3PyMPM異質界面之間形成多量子阱結構，制備無摻雜超薄綠色磷光OLED器件。將每個CBP或B3PyMPM層的厚度設為2nm是為了保證有效的激子隧穿。因此，載流子可以被有效的分布在每一個界面，增加量子阱結構的數量可以使激子的分布更加均勻，從而避免了激子大量聚集導致的激子猝滅。利用激基復合物和量子阱結構的協同作用來拓寬激子復合區域，提高了激子利用率，它能為提高綠磷光OLED器件的效率、減小效率滾降提供一條新思路。

本發明授權基于激基復合物的多量子阱結構改善OLED器件性能的方法在權利要求書中公布了：1.一種基于激基復合物的多量子阱結構改善OLED器件性能的方法，所述OLED器件包括多個超薄無摻雜的發光層，所述的發光層的材料是由綠色磷光材料fac-Irppy3構成的，其特征在于：向OLED器件的多個發光層fac-Irppy3的相鄰層之間交替插入空穴傳輸材料4,4-二9-咔唑聯苯（4,4'-BisN-carbazolyl-1,1'-biphenyl，CBP）和電子傳輸材料4,6-雙3,5-二3-吡啶基苯基-2-甲基嘧啶（4,6-Bis3,5-dipyridin-3-ylphenyl-2-methylpyrimidine,B3PYMPM）； 所述的OLED器件通過空穴傳輸材料CBP和電子傳輸材料B3PYMPM形成界面激基復合物，在界面插入0.2nm的fac-Irppy3； 所述的OLED器件發光層fac-Irppy3的膜厚為0.2nm保持不變，在發光層fac-Irppy3的相鄰層交替插入空穴傳輸材料CBP和電子傳輸材料B3PyMPM薄層，空穴傳輸材料CBP和電子傳輸材料B3PyMPM薄層的膜厚為1~4nm。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人合肥工業大學;合肥工業大學智能制造技術研究院，其通訊地址為：230009 安徽省合肥市屯溪路193號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。