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龍圖騰網(wǎng)獲悉南京信息工程大學申請的專利Pocket結(jié)構(gòu)的Si/Ge異質(zhì)結(jié)圍柵隧穿場效應晶體管及其制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115360232B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211018417.1，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10D62/17；該發(fā)明授權(quán)Pocket結(jié)構(gòu)的Si/Ge異質(zhì)結(jié)圍柵隧穿場效應晶體管及其制備方法是由趙見國;索博研;徐儒;常建華設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-08-24向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本Pocket結(jié)構(gòu)的Si/Ge異質(zhì)結(jié)圍柵隧穿場效應晶體管及其制備方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種Pocket結(jié)構(gòu)的SiGe異質(zhì)結(jié)圍柵隧穿場效應晶體管及其制備方法，晶體管包括半導體Si襯底，半導體Si襯底上設(shè)有P型重摻雜半導體Ge的源區(qū)、N型重摻雜半導體Si的漏區(qū)和設(shè)于源區(qū)與漏區(qū)之間的STI氧化層；源區(qū)和漏區(qū)之間設(shè)有N型輕摻雜半導體Si的溝道區(qū)域和N型重摻雜半導體Si的Pocket區(qū)域，源區(qū)側(cè)部設(shè)有嵌入到Pocket區(qū)域的半導體Ge凸起，嵌入的凸起形成GeSi異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)；溝道區(qū)域和Pocket區(qū)域之間設(shè)有異質(zhì)柵電極，異質(zhì)柵電極的側(cè)部設(shè)有側(cè)墻區(qū)，溝道區(qū)域和Pocket區(qū)域的表面設(shè)有柵介質(zhì)層。本發(fā)明晶體管具有更高的開態(tài)電流、更陡峭的亞閾值擺幅斜率、更強的柵控能力、優(yōu)秀的射頻特性，同時能夠抑制雙極性電流，改善隧穿場效應晶體管亞閾值特性。

本發(fā)明授權(quán)Pocket結(jié)構(gòu)的Si/Ge異質(zhì)結(jié)圍柵隧穿場效應晶體管及其制備方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種Pocket結(jié)構(gòu)的SiGe異質(zhì)結(jié)圍柵隧穿場效應晶體管，其特征在于：晶體管包括半導體Si襯底，半導體Si襯底上設(shè)有P型重摻雜半導體Ge的源區(qū)、N型重摻雜半導體Si的漏區(qū)和設(shè)于源區(qū)與漏區(qū)之間的STI氧化層，所述STI氧化層分別與源區(qū)和漏區(qū)相連；源區(qū)和漏區(qū)之間設(shè)有N型輕摻雜半導體Si的溝道區(qū)域和N型重摻雜半導體Si的Pocket區(qū)域，源區(qū)側(cè)部設(shè)有嵌入到Pocket區(qū)域的半導體Ge凸起，嵌入的凸起形成GeSi異質(zhì)結(jié)結(jié)構(gòu)；溝道區(qū)域和Pocket區(qū)域之間設(shè)有異質(zhì)柵電極，異質(zhì)柵電極的側(cè)部設(shè)有側(cè)墻區(qū)，溝道區(qū)域和Pocket區(qū)域的表面設(shè)有柵介質(zhì)層；所述異質(zhì)柵電極由兩種或三種不同功函數(shù)的導電金屬構(gòu)成，異質(zhì)柵電極所用的金屬材料的功函數(shù)從源區(qū)向漏區(qū)逐漸增大，不同金屬材料的功函數(shù)之間相差不得少于0.1eV。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人南京信息工程大學，其通訊地址為：224002 江蘇省鹽城市鹽南高新區(qū)新河街道文港南路105號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。