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龍圖騰網獲悉蘇州華勤源微電子科技有限公司申請的專利一種陶瓷復合硅基環行器的制作方法及其應用獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115986350B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211086188.7，技術領域涉及：H01P1/38；該發明授權一種陶瓷復合硅基環行器的制作方法及其應用是由殷敏;周丹;沈健;徐亞龍設計研發完成，并于2022-09-06向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種陶瓷復合硅基環行器的制作方法及其應用在說明書摘要公布了：本發明涉及環行器技術領域，尤其涉及IPCH04B領域，更具體地，涉及一種陶瓷復合硅基環行器的制作方法及其應用。本發明通過深硅刻蝕通孔、制作鐵氧體圓片、復合襯底制備、介質橋制作、光刻圖形、真空鍍膜、光阻剝離、劃片分切八個步驟切割得到了陶瓷復合硅基環行器。本發明為通過采用半導體工藝常用的硅片，在每個硅片通孔中間嵌入鐵氧體陶瓷圓片，通過特定的粘接材料連接成一個完成的電路襯底基片，再通過半導體薄膜工藝制作出微帶環行器，在兩種材料連接處采用介質橋金屬化技術，以保證電路連接連續性及可靠性，該環行器具有較寬的工作頻段，較高的耐功率性，且一致性好，易集成、成本低，非常適合應用于隔離器、雙工器、反射放大器等領域。

本發明授權一種陶瓷復合硅基環行器的制作方法及其應用在權利要求書中公布了：1.一種陶瓷復合硅基環行器的制作方法，其特征在于，包括以下步驟： S1、深硅刻蝕通孔：通過深硅刻蝕的方式，在硅片上刻蝕出多個圓形通孔； S2、制作鐵氧體圓片：將鐵氧體棒材磨到圓形通孔直徑，再切出若干個圓薄片后采用研磨拋光，制作出鐵氧體圓片； S3、復合襯底制備：將鐵氧體圓片分別嵌入通孔內，采用粘接材料將鐵氧體圓片鑲嵌在硅片中，再將粘接好的硅片和鐵氧體圓片裝進夾具內，高溫燒結即得復合襯底； S4、介質橋制作：在復合襯底上旋涂聚酰亞胺涂料，再用光刻刻蝕工藝制作出聚酰亞胺介質橋； S5、光刻圖形：用光刻工藝在聚酰亞胺介質橋表面制作出電路圖形； S6、真空鍍膜：采用磁控濺射工藝，在有聚酰亞胺介質橋的這面鍍膜； S7、光阻剝離：采用lift-off工藝將光阻剝離； S8、劃片分切：采用高精密劃片機將制作好的復合襯底電路分切成若干個獨立的單元器件，即可； 所述粘接材料為改性硅酮膠，所述改性硅酮膠的制備方法為：將硅酮膠和硅油攪拌均勻，加入填料繼續攪拌均勻，再加入硅烷偶聯劑，繼續攪拌20-40min后，即得改性硅酮膠；所述硅酮膠的剪切強度為1.0-2.0MPa，拉伸強度為0.5-1.5MPa；所述硅油選自乙烯基硅油、聚甲基氫硅氧烷、甲基封端硅油、甲基硅油中的一種或多種。

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