浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心皮孝東獲國家專利權(quán)
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龍圖騰網(wǎng)獲悉浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心申請的專利光電神經(jīng)突觸器件、對應(yīng)的制備方法和工作方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN115411136B 。
龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202211145123.5，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H10F30/282；該發(fā)明授權(quán)光電神經(jīng)突觸器件、對應(yīng)的制備方法和工作方法是由皮孝東;開翠紅;楊德仁設(shè)計研發(fā)完成，并于2022-09-20向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。
本光電神經(jīng)突觸器件、對應(yīng)的制備方法和工作方法在說明書摘要公布了：本發(fā)明涉及半導(dǎo)體工藝，公開了一種光電神經(jīng)突觸器件、對應(yīng)的制備方法及工作方法，所述光電神經(jīng)突觸器件，包括：半導(dǎo)體襯底，位于所述半導(dǎo)體襯底表面的GaN層，位于所述GaN層表面的AlGaN層，位于所述AlGaN層表面的非晶SiNx層，位于所述非晶SiNx層表面的柵電極，其中GaN層、AlGaN層、非晶SiNx層構(gòu)成浮柵結(jié)構(gòu)，位于所述AlGaN層表面的源電極和漏電極。本發(fā)明引入非晶SiNx層作為電荷存儲層，使光生載流子通過異質(zhì)結(jié)極化場分離后進(jìn)入電荷存儲層，從而達(dá)到保存光電流的目的，最終獲得靈敏度高、可靠性好、記憶時間大于10年的光電神經(jīng)突觸器件。
本發(fā)明授權(quán)光電神經(jīng)突觸器件、對應(yīng)的制備方法和工作方法在權(quán)利要求書中公布了：1.一種光電神經(jīng)突觸器件，其特征在于，包括：半導(dǎo)體襯底，位于所述半導(dǎo)體襯底表面的GaN層，位于所述GaN層表面的AlGaN層，位于所述AlGaN層表面的非晶SiNx層，位于所述非晶SiNx層表面的柵電極，其中GaN層、AlGaN層、非晶SiNx層構(gòu)成浮柵結(jié)構(gòu)，位于所述AlGaN層表面的源電極和漏電極。
如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人浙江大學(xué)杭州國際科創(chuàng)中心，其通訊地址為：310000 浙江省杭州市心北路99號5樓；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。
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1、本報告根據(jù)公開、合法渠道獲得相關(guān)數(shù)據(jù)和信息，力求客觀、公正，但并不保證數(shù)據(jù)的最終完整性和準(zhǔn)確性。
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