中國科學院半導體研究所郭寧獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉中國科學院半導體研究所申請的專利使用單向光注入調制的激光器陣列獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115603177B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211160594.3，技術領域涉及：H01S5/42；該發明授權使用單向光注入調制的激光器陣列是由郭寧;張楊;曾一平;關敏;楊尚宇設計研發完成，并于2022-09-22向國家知識產權局提交的專利申請。
本使用單向光注入調制的激光器陣列在說明書摘要公布了：本發明涉及硅基光電子學技術領域，提供一種使用單向光注入調制的激光器陣列，包括：陣列排布的多個激光器單元，每個激光器單元包括：波導光柵耦合器、主激光器和從激光器；波導光柵耦合器包括：光柵單元、波導單元和氧化單元；其中，光柵單元包括第一光柵和第二光柵，波導單元的兩側下方分別與第一光柵和第二光柵相連，氧化單元位于波導單元的上表面；主激光器位于第一光柵的下方，從激光器位于第二光柵的斜下方，且從激光器的出光區域在水平方向上的投影與第二光柵在水平方向上的投影不重疊。本發明可以采用簡單的工藝和結構實現波導光的單向注入。
本發明授權使用單向光注入調制的激光器陣列在權利要求書中公布了：1.一種使用單向光注入調制的激光器陣列，其特征在于，包括：陣列排布的多個激光器單元，每個激光器單元包括：波導光柵耦合器、主激光器和從激光器； 所述波導光柵耦合器包括：光柵單元、波導單元和氧化單元；其中，所述光柵單元包括第一光柵和第二光柵，所述波導單元的兩側下方分別與所述第一光柵和第二光柵相連，所述氧化單元位于所述波導單元的上表面； 所述主激光器位于所述第一光柵的下方，所述從激光器位于所述第二光柵的斜下方，且所述從激光器的出光區域在水平方向上的投影與所述第二光柵在水平方向上的投影不重疊。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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