華中科技大學楊華獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華中科技大學申請的專利一種用于層析粒子圖像測速重建粒子場的后處理方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN115564895B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202211210392.5,技術領域涉及:G06T17/00;該發明授權一種用于層析粒子圖像測速重建粒子場的后處理方法是由楊華;張志遠;尹周平設計研發完成,并于2022-09-30向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種用于層析粒子圖像測速重建粒子場的后處理方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種用于層析粒子圖像測速重建粒子場的后處理方法,包括如下步驟:1獲取待測流場的重建粒子場;2對重建粒子場進行第一次去卷積操作,得到第一預測粒子場;3根據第一預測粒子場和重建粒子場進行各向異性卷積核估計;4利用最新估計得到的各向異性卷積核對重建粒子場進行去卷積操作,得到第二預測粒子場;5根據第二預測粒子場和重建粒子場進行各向異性卷積核估計;6重復步驟4和5,直至滿足迭代停止條件;7利用步驟6估計得到的各向異性卷積核對重建粒子場進行去卷積操作,得到修復粒子場。與現有技術相比,本發明具有有效恢復原始粒子球形形狀,顯著抑制重建粒子場中鬼影粒子的特點。
本發明授權一種用于層析粒子圖像測速重建粒子場的后處理方法在權利要求書中公布了:1.一種用于層析粒子圖像測速重建粒子場的后處理方法,其特征在于,包括以下步驟: (1)獲取待測流場的重建粒子場; (2)對所述重建粒子場進行第一次去卷積操作,得到第一預測粒子場; (3)根據所述第一預測粒子場和重建粒子場進行各向異性卷積核估計; (4)利用最新估計得到的各向異性卷積核對所述重建粒子場進行去卷積操作,得到第二預測粒子場; (5)根據所述第二預測粒子場和重建粒子場進行各向異性卷積核估計; (6)重復步驟(4)和(5),直至滿足迭代停止條件; (7)利用步驟(6)估計得到的各向異性卷積核對所述重建粒子場進行去卷積操作,得到修復粒子場; 步驟(3)和(5)中,通過如下公式來實現各向異性卷積核估計: 其中,k代表各向異性卷積核;u代表預測粒子場;v代表重建粒子場;表示卷積操作;為求一階導數算子;代表L2范數的平方;分別為第一、第二、第三權重系數,、、分別為對x、y、z方向進行求一階導數算子; 步驟(4)中,通過如下公式來實現對所述重建粒子場進行去卷積操作: 其中,為第四權重系數; 步驟(7)中,通過如下公式來實現對所述重建粒子場進行去卷積操作: 其中,分別為第五、第六權重系數;代表L0范數;代表全變分范數;和分別代表一個體素在不同強度下成為真實粒子和鬼影粒子的概率。
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