長鑫存儲技術有限公司梅曉波獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰，真高效！ 查專利查商標用IPTOP,全免費！專利年費監控用IP管家,真方便！
龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115966467B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211312862.9，技術領域涉及：H10D30/01；該發明授權半導體結構及其制造方法是由梅曉波;鄧放心;李春曉;李正設計研發完成，并于2022-10-25向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構及其制造方法在說明書摘要公布了：本公開實施例涉及半導體領域，提供一種半導體結構及其制造方法，制造方法包括：提供基底，基底包括襯底和覆蓋襯底的第一介質層，襯底包括源區、漏區和溝道區，源區和漏區位于溝道區的相對兩側，第一介質層具有親水性表面；對源區和漏區上的第一介質層進行表面改性處理，以使源區和漏區的第一介質層的親水性表面轉變為疏水性表面；形成第二介質層，第二介質層僅覆蓋溝道區上的第一介質層的表面，第二介質層的介電常數大于第一介質層的介電常數。該制造方法可以簡化半導體結構的制造工藝，提高半導體結構的制造效率。
本發明授權半導體結構及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底，所述基底包括襯底和覆蓋所述襯底的第一介質層，所述襯底包括源區、漏區和溝道區，所述源區和所述漏區位于所述溝道區的相對兩側，所述第一介質層具有親水性表面； 對所述源區和所述漏區上的所述第一介質層進行表面改性處理，以使所述源區和所述漏區的所述第一介質層的所述親水性表面轉變為疏水性表面； 形成第二介質層，所述第二介質層僅覆蓋所述溝道區上的所述第一介質層的表面，所述第二介質層的介電常數大于所述第一介質層的介電常數。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
免責聲明
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
開放平臺
擔保交易
惠及多方
會員特惠
專屬平臺
適合多方
數據共享
功能齊全
皖公網安備 34010402703815號