北京大學魏進獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉北京大學申請的專利一種多溝道GaN基HEMT器件及其制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117954476B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211323490.X，技術領域涉及：H10D62/17；該發明授權一種多溝道GaN基HEMT器件及其制備方法是由魏進;崔家瑋;楊俊杰;吳妍霖設計研發完成，并于2022-10-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種多溝道GaN基HEMT器件及其制備方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種多溝道GaN基HEMT器件及其制備方法，該器件包括自下而上依次層疊的襯底層、過渡層、高阻層，在高阻層上的溝道區多個溝道層和勢壘層依次交疊形成多個并列溝道，頂端溝道層和頂端勢壘層則覆蓋包括溝道區在內的整個器件表面；柵源區和漏區分別位于溝道區的兩端，源極、柵極、漏極兩兩之間由鈍化層隔開。本發明的多個并聯溝道設計可以降低耐高壓GaN基HEMT導通電阻，進而降低損耗。這種多溝道結構可以廣泛適用于基于p?GaN帽層或MIS結構的增強型HEMT器件以及傳統的耗盡型HEMT器件，可以優化耐壓與導通的折中關系，有利于近一步提高現有器件的優值。
本發明授權一種多溝道GaN基HEMT器件及其制備方法在權利要求書中公布了：1.一種GaN基HEMT器件，為基于p-GaN帽層的增強型HEMT器件，包括自下而上依次層疊的襯底層、過渡層、高阻層，其特征在于，在高阻層上的溝道區多個溝道層和勢壘層依次交疊形成大于等于2的多個并列溝道，頂端溝道層和頂端勢壘層則覆蓋包括溝道區在內的整個器件表面；柵源區和漏區分別位于溝道區的兩端，源極、柵極、漏極兩兩之間由鈍化層隔開，且柵區位于頂端溝道層之上；其中，柵極p-GaN帽層位于頂端勢壘層上，柵極位于所述柵極p-GaN帽層上。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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