長鑫存儲技術有限公司劉歡獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉長鑫存儲技術有限公司申請的專利半導體結構的制造方法及半導體結構獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115565946B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211350754.0，技術領域涉及：H01L21/768；該發明授權半導體結構的制造方法及半導體結構是由劉歡;嚴勛設計研發完成，并于2022-10-31向國家知識產權局提交的專利申請。
本半導體結構的制造方法及半導體結構在說明書摘要公布了：本公開實施例提供一種半導體結構的制造方法及半導體結構，半導體結構的制造方法包括在貫穿導電層的第一開口中形成第一介質層，其中，第一介質層覆蓋第一開口的底面及側面和導電層的頂面，且位于第一開口內的第一介質層圍成第二初始開口，第二初始開口頂部的寬度小于第二初始開口中部的寬度，并刻蝕以減薄位于第一開口內的第一介質層，使得由第一開口內剩余第一介質層圍成第二開口，其頂部的寬度小于其中部的寬度，還在減薄后的第一介質層上形成第二介質層，第二介質層封堵第二開口頂部，從而通過位于第二開口內的第二介質層以及位于第二開口頂部的第二介質層圍成氣隙。如此，本公開實施例至少可以形成具有較大寬度的氣隙以減小寄生電容。
本發明授權半導體結構的制造方法及半導體結構在權利要求書中公布了：1.一種半導體結構的制造方法，其特征在于，包括： 提供基底以及位于所述基底上的導電層，其中，所述導電層具有貫穿所述導電層的第一開口； 形成第一介質層，所述第一介質層覆蓋所述第一開口的底面和側面，且還位于所述導電層的頂面，其中，位于所述第一開口內的所述第一介質層圍成第二初始開口，所述第二初始開口頂部的寬度小于所述第二初始開口中部的寬度； 刻蝕以減薄位于所述第一開口內的所述第一介質層，其中，位于所述第一開口內的剩余的所述第一介質層圍成第二開口，所述第二開口頂部的寬度小于所述第二開口中部的寬度； 形成第二介質層，所述第二介質層覆蓋剩余的所述第一介質層且還封堵所述第二開口頂部，位于所述第二開口內的所述第二介質層以及位于所述第二開口頂部的所述第二介質層圍成氣隙。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人長鑫存儲技術有限公司，其通訊地址為：230601 安徽省合肥市經濟技術開發區空港工業園興業大道388號；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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