中國計量科學研究院陳建獲國家專利權
買專利賣專利找龍圖騰,真高效! 查專利查商標用IPTOP,全免費!專利年費監控用IP管家,真方便!
龍圖騰網獲悉中國計量科學研究院申請的專利一種可實現寬波段能量探測的TES探測器獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN116096216B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202211557700.1,技術領域涉及:H10N60/85;該發明授權一種可實現寬波段能量探測的TES探測器是由陳建;王雪深;李萬;胡家昊;李勁勁;徐驍龍設計研發完成,并于2022-12-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種可實現寬波段能量探測的TES探測器在說明書摘要公布了:本申請涉及一種可實現寬波段能量探測的TES探測器,包括:熱沉;TES主體,設置在熱沉的中心;導熱薄膜,覆蓋在TES主體上,具有兩個以上的分支;TES主體的正上方通過環氧樹脂將厚度為H6的厚塊狀超導體材料的主吸收體直接粘結在表面,主吸收體E朝向TES主體的正投影能夠遮蓋整個TES主體;還包括多個不同規格的吸收體中的一種或多種。本發明的有益效果是:能夠兼容多種波段,擴大了TES探測器的適用范圍。
本發明授權一種可實現寬波段能量探測的TES探測器在權利要求書中公布了:1.一種可實現寬波段能量探測的TES探測器,其特征在于,包括: 熱沉; TES主體,設置在所述熱沉的中心; 導熱薄膜,覆蓋在所述TES主體上,具有兩個以上的分支; 所述TES主體的正上方通過環氧樹脂將厚度為H6的厚塊狀超導體材料的主吸收體E直接粘結在表面,所述主吸收體E朝向所述TES主體的正投影能夠遮蓋整個所述TES主體; 還包括以下吸收體中的一種或多種: 第一吸收體A,所述第一吸收體A通過磁控濺射或電鍍H1厚度的第一導熱材料在第一分支上形成; 第二吸收體B,所述第二吸收體B通過磁控濺射或電鍍H2厚度的第一導熱材料在第二分支上形成; 第三吸收體C,所述第三吸收體C通過磁控濺射或電鍍H3厚度的第一導熱材料+H4厚度的第二導熱材料在第三分支上形成; 第四吸收體D,為厚度為H5的厚塊狀超導體材料,通過環氧樹脂粘結在第四分支上; 其中,H1為300~700nm,H2為1~3μm,H3為1~3μm,H4為5~100μm,H5為100~400μm,H6為500~2000μm。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術,可聯系本專利的申請人或專利權人中國計量科學研究院,其通訊地址為:100029 北京市朝陽區北三環東路18號;或者聯系龍圖騰網官方客服,聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息,力求客觀、公正,但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解,僅供參考使用,不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。