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龍圖騰網獲悉麥斯克電子材料股份有限公司申請的專利一種8吋半導體特殊偏晶向規格硅片的加工方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN115781955B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202211582839.1，技術領域涉及：B28D5/04；該發明授權一種8吋半導體特殊偏晶向規格硅片的加工方法是由張亮;胡曉亮;邢勝昌;崔小換;張倩;黃鑫;劉元濤;邵奇;李戰國設計研發完成，并于2022-12-09向國家知識產權局提交的專利申請。

本一種8吋半導體特殊偏晶向規格硅片的加工方法在說明書摘要公布了：一種8吋半導體特殊偏晶向規格硅片的加工方法，包括以下步驟：S1，選擇晶向為100的晶棒，對該晶棒進行滾磨，在晶棒的外側面上滾磨出第一參考面，第一參考面的晶向為[110]，然后，在晶棒的外側面上滾磨出第二參考面，從晶棒尾部向頭部方向看，第二參考面位于第一參考面的逆時針方向，且第一參考面和第二參考面與晶棒中心連線形成的夾角為45°；S2，以第二參考面為基準測量晶棒粘接時需要偏轉的水平偏轉角度α需和第二參考面旋轉角度β需，根據α需和β需將晶棒粘接到晶托上；S3，通過線切割將晶棒切割形成硅片，硅片經過脫膠、擺片、清洗工序后進行倒角，倒角過程中能夠去除硅片上的第二參考面且保留第一參考面。本發明，減少了偏晶向硅片的生產成本，且解決了傳統粘棒設備無法直接加工此類規格晶棒的難題。

本發明授權一種8吋半導體特殊偏晶向規格硅片的加工方法在權利要求書中公布了：1.一種8吋半導體特殊偏晶向規格硅片的加工方法，其特征在于，包括以下步驟： S1，選擇晶向為100的晶棒3，對該晶棒3進行滾磨，在晶棒3的外側面上滾磨出第一參考面1，第一參考面1的晶向為[110]，然后，在晶棒3的外側面上滾磨出第二參考面2，從晶棒3尾部向頭部方向看，第二參考面2位于第一參考面1的逆時針方向，且第一參考面1和第二參考面2與晶棒3中心連線形成的夾角為45°； S2，以第二參考面2為基準測量晶棒3粘接時需要偏轉的水平偏轉角度α需和第二參考面旋轉角度β需，根據α需和β需將晶棒3粘接到晶托4上； S21，以第二參考面2為基準測量α需和β需； S22，晶棒3按照α需偏轉，從晶棒的尾部向頭部方向看，第二參考面2繞晶棒3軸線按照β需偏轉，并將偏轉后的晶棒3粘接到晶托4上； S23，測量粘接到晶托4上的晶棒3的實際偏轉角度α實和第二參考面的實際旋轉角度β實，若α實≠α需、β實≠β需，則調整晶棒3直至α實＝α需、β實＝β需； S3，通過線切割將晶棒3切割形成硅片，硅片經過脫膠、擺片、清洗工序后進行倒角，倒角過程中能夠去除硅片上的第二參考面2且保留第一參考面1； S31，晶棒3經過線切割形成硅片，切割方式是金剛線切割或者砂漿線切割； S32切割得到的硅片進行脫膠，然后將硅片擺入片盒內且晶棒3的尾部端面朝向片盒的U面； S33，清洗片盒內的硅片并將其烘干，對硅片朝向片盒U面的端面劃線； S34，以第二參考面2為基準測量硅片的晶向，判定硅片的晶向是否為所需晶向； S35，將符合所需晶向的硅片進行倒角且倒角過程中能夠去除第二參考面2和保留第一參考面1。

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