湖北九峰山實驗室吳暢獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉湖北九峰山實驗室申請的專利一種強極化異質結Fin-HEMT器件及制備方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN117542886B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202311613939.0，技術領域涉及：H10D30/47；該發明授權一種強極化異質結Fin-HEMT器件及制備方法是由吳暢;王凱;邢紹琨;劉捷龍;郭濤設計研發完成，并于2023-11-28向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種強極化異質結Fin-HEMT器件及制備方法在說明書摘要公布了：本發明涉及一種強極化異質結Fin?HEMT器件。該強極化異質結Fin?HEMT器件包括溝道層，溝道層為非故意摻雜的ε?Ga2O3層，溝道層上表面沿柵寬方向刻蝕有溝槽形成Fin結構，其中，刻蝕的深度為h；插入層：插入層材料的禁帶寬度小于ε?Ga2O3的禁帶寬度，插入層沉積在溝道層上且其在溝槽中的厚度為d1；勢壘層，勢壘層沉積在插入層上且其在溝槽中的厚度為d2，勢壘層為ε?AlxGa1?x2O3層，且d1+d2＜h；柵電極，柵電極制作在勢壘層上且呈鰭式結構；還包括設置在柵電極兩側的源電極和漏電極，所述源電極和漏電極均與溝道層、插入層和勢壘層接觸。該器件多閾值耦合效果好且能夠在不損失Fin之間的溝道寬度和二維電子氣濃度的前提下，提高器件的線性度。
本發明授權一種強極化異質結Fin-HEMT器件及制備方法在權利要求書中公布了：1.一種強極化異質結Fin-HEMT器件，其特征在于，至少包括 溝道層，所述溝道層為非故意摻雜的ε-Ga2O3層，所述溝道層上表面沿柵寬方向刻蝕有溝槽形成Fin結構，其中，刻蝕的深度為h； 插入層：所述插入層材料的禁帶寬度小于ε-Ga2O3的禁帶寬度，所述插入層沉積在溝道層上且其在溝槽中的厚度為d1； 勢壘層，所述勢壘層沉積在插入層上且其在溝槽中的厚度為d2，所述勢壘層為ε-AlxGa1-x2O3層，且d1+d2＜h； 柵電極，所述柵電極制作在勢壘層上且呈鰭式結構； 還包括設置在柵電極兩側的源電極和漏電極，所述源電極和漏電極均與溝道層、插入層和勢壘層接觸； 其中，源漏電極通過接觸層與溝道層、插入層和勢壘層接觸；所述勢壘層為N型摻雜ε-AlxGa1-x2O3層。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人湖北九峰山實驗室，其通訊地址為：430000 湖北省武漢市東湖開發區關東科技工業園華光大道18號19層；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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