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          北京大學(xué)黎明獲國家專利權(quán)

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          龍圖騰網(wǎng)獲悉北京大學(xué)申請的專利一種垂直超薄溝道DRAM單元器件的制備方法獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán),本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予,授權(quán)公告號為:CN118119182B

          龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉:該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為:202410253970.6,技術(shù)領(lǐng)域涉及:H10B12/00;該發(fā)明授權(quán)一種垂直超薄溝道DRAM單元器件的制備方法是由黎明;施明旻;畢然;許曉燕;安霞;黃如設(shè)計研發(fā)完成,并于2024-03-06向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

          一種垂直超薄溝道DRAM單元器件的制備方法在說明書摘要公布了:本發(fā)明公開一種垂直超薄溝道DRAM單元器件的制備方法,屬于超大規(guī)模集成電路制造技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明通過淀積薄膜厚度定義垂直溝道的寬度,實現(xiàn)超越光學(xué)光刻精度的溝道尺寸控制,并減少了定義有源區(qū)的光刻次數(shù),實現(xiàn)了垂直超薄溝道DRAM單元器件的制備。采用本發(fā)明提高了DRAM存儲密度,為實現(xiàn)4F2單元提供了可能性。

          本發(fā)明授權(quán)一種垂直超薄溝道DRAM單元器件的制備方法在權(quán)利要求書中公布了:1.一種垂直超薄溝道DRAM單元器件的制備方法,包括如下步驟: A.提供一Si襯底,淀積一層介質(zhì)材料作為掩膜,并通過光刻和刻蝕圖形化,其寬度定義了相鄰兩個垂直納米柱的最大距離,該垂直納米柱的間距包含了每兩個一組DRAM單元的字線厚度和隔離寬度; B.以步驟A淀積的介質(zhì)材料為掩膜選擇性刻蝕襯底,刻蝕深度定義了納米柱高度; C.通過淀積介質(zhì)材料并進行化學(xué)機械拋光,形成STI隔離層,其頂部與步驟A中的介質(zhì)材料頂部平齊; D.選擇性去除步驟A中淀積的介質(zhì)材料,暴露出Si溝道,并形成一個具有一定側(cè)壁高度的凹形結(jié)構(gòu); E.熱氧化形成一層小于5nm的注入掩蔽層,光刻后通過離子注入形成溝道摻雜并通過退火工藝激活雜質(zhì); F.在凹形結(jié)構(gòu)上繼續(xù)淀積一層介質(zhì)作為掩膜,淀積介質(zhì)厚度定義了垂直納米片寬度,利用各向異性刻蝕工藝在凹形結(jié)構(gòu)的側(cè)壁上形成側(cè)墻; G.以步驟F中形成的側(cè)墻作為掩膜選擇性刻蝕襯底,刻蝕深度與步驟B中刻蝕深度相同; H.以步驟F中形成的側(cè)墻作為掩膜選擇性刻蝕DRAM單元兩側(cè)通過步驟C留下的介質(zhì)材料,形成沒有介質(zhì)隔離的平行納米片陣列結(jié)構(gòu); I.去除步驟C的介質(zhì)材料,通過離子注入形成位線摻雜,并通過快速退火進行雜質(zhì)激活以及向納米片的反向擴散,形成納米片底部源區(qū)摻雜; J.刻蝕形成超薄垂直溝道; K.通過化學(xué)氣相沉積和化學(xué)機械拋光,淀積一層介質(zhì)材料,重新形成超薄納米片間介質(zhì)隔離層; L.通過濕法刻蝕去除表面在步驟F中留下的介質(zhì)層,進行離子注入,并通過退火進行雜質(zhì)激活,形成重?fù)诫s的漏區(qū),作為與存儲電容連接的區(qū)域;光刻定義位線,通過回填介質(zhì)材料形成位線之間的介質(zhì)隔離; M.制備金屬柵; N.通過化學(xué)氣相淀積,在表面淀積一層與步驟K中相同的介質(zhì)材料; O.通過各向異性刻蝕選擇性刻蝕步驟N和步驟K中共同淀積的介質(zhì)層,在DRAM單元的納米片結(jié)構(gòu)側(cè)壁上形成側(cè)墻結(jié)構(gòu),并暴露出DRAM單元兩側(cè)的襯底表面,而DRAM單元內(nèi)部納米片之間的隔離介質(zhì)由于初始高度差形成部分去除,從而對DRAM單元內(nèi)的襯底形成保護作用; P.在DRAM單元外側(cè)的襯底表面自對準(zhǔn)形成金屬硅化物; Q.制備接觸孔; R.以下步驟與常規(guī)DRAM的存儲電容以及互連工藝相同。

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