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龍圖騰網獲悉上海華力集成電路制造有限公司;復旦大學申請的專利光電原位有源像素傳感器及其制造方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118380445B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410390168.1，技術領域涉及：H10F39/00；該發明授權光電原位有源像素傳感器及其制造方法是由萬景;蔣玉龍;曹雅靜;曹永峰;陳昊瑜;周利民;雷海波設計研發完成，并于2024-04-01向國家知識產權局提交的專利申請。

本光電原位有源像素傳感器及其制造方法在說明書摘要公布了：本發明公開了一種光電原位有源像素傳感器，器件單元結構形成于雙埋層SOI襯底上。雙埋層SOI襯底包括：半導體主體層、第二介質埋層、半導體中間層、第一介質埋層和半導體頂層。感光結構包括半導體中間層以及和半導體中間層相接觸的第一半導體外延層和第一歐姆接觸區。第一歐姆接觸區通過頂部的接觸孔連接到第一電極。在器件單元結構的周側還形成有深溝槽隔離，深溝槽隔離的底部表面達到第二介質埋層中。在深溝槽隔離外側還形成有第二半導體外延層和第二歐姆接觸區。深溝槽隔離和第二介質埋層使感光結構和周側的第二半導體外延層和半導體主體層相隔離，以抑制相鄰的器件單元結構之間的串擾。本發明還公開了一種光電原位有源像素傳感器的制造方法。

本發明授權光電原位有源像素傳感器及其制造方法在權利要求書中公布了：1.一種光電原位有源像素傳感器，其特征在于，器件單元結構形成于雙埋層SOI襯底上； 所述雙埋層SOI襯底包括：半導體主體層、第二介質埋層、半導體中間層、第一介質埋層和半導體頂層； 所述第二介質埋層形成于所述半導體主體層的頂部表面上，所述半導體中間層形成于所述第二介質埋層的頂部表面上，所述第一介質埋層形成于所述半導體中間層的頂部表面上，所述半導體頂層形成于所述第一介質埋層的頂部表面上； 所述器件單元結構包括MOS晶體管和感光結構； 所述MOS晶體管形成于所述半導體頂層上，所述MOS晶體管的溝道區由所述半導體頂層組成； 所述感光結構包括所述半導體中間層、第一半導體外延層和第一歐姆接觸區； 所述第一半導體外延層穿過所述半導體頂層和所述第一介質埋層并和所述半導體中間層接觸；所述第一半導體外延層和所述半導體中間層都具有第二導電類型的輕摻雜結構； 所述第一歐姆接觸區形成于所述第一半導體外延層的表面區域中并具有第二導電類型的重摻雜結構； 所述第一歐姆接觸區通過頂部的接觸孔連接到由正面金屬層組成的第一電極； 在所述器件單元結構的周側還形成有深溝槽隔離，所述深溝槽隔離的底部表面達到所述第二介質埋層中； 在所述深溝槽隔離外側還形成有第二半導體外延層和第二歐姆接觸區； 所述第二半導體外延層穿過所述半導體頂層、所述第一介質埋層、所述半導體中間層和所述第二介質埋層并和所述半導體主體層接觸；所述第二半導體外延層和所述半導體主體層都具有第二導電類型的輕摻雜結構； 所述第二歐姆接觸區形成于所述第二半導體外延層的表面區域中并具有第二導電類型的重摻雜結構； 所述深溝槽隔離和所述第二介質埋層使所述感光結構和周側的所述第二半導體外延層和所述半導體主體層相隔離，以抑制相鄰的所述器件單元結構之間的串擾。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人上海華力集成電路制造有限公司;復旦大學，其通訊地址為：201203 上海市浦東新區康橋東路298號1幢1060室；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。