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龍圖騰網獲悉杭州電子科技大學申請的專利基于加速GMRES求解器的自適應掃頻電磁仿真方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN118395928B 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：202410481787.1，技術領域涉及：G06F30/367；該發明授權基于加速GMRES求解器的自適應掃頻電磁仿真方法是由趙鵬;潘思佳;鐘元翱;唐柔剛;陳世昌;徐魁文;王高峰設計研發完成，并于2024-04-22向國家知識產權局提交的專利申請。

本基于加速GMRES求解器的自適應掃頻電磁仿真方法在說明書摘要公布了：本發明公開基于加速GMRES求解器的自適應掃頻電磁仿真方法。在電磁仿真計算中，對于大規模復雜的算例，剖分后形成RWG基函數高達數萬個，導致產生的矩陣方程非常龐大。本發明提出一種基于加速GMRES求解器的自適應掃頻電磁仿真方法，利用電磁計算中在臨近頻率點電流變化平緩的特點，采用插值的方法去估計未知點的電流值，再將估計的電流值值作為方程的初始值進而進行求解，可以使得初始電流值更逼近真實求解的電流值，從而顯著降低起始殘差大小，有效改善求解器預估電流值誤差較大的問題，進而降低當前頻率點的迭代步數，并與矩量法仿真計算中自適應掃頻方法相結合，有效提升仿真效率同時保證結果的準確性。

本發明授權基于加速GMRES求解器的自適應掃頻電磁仿真方法在權利要求書中公布了：1.基于加速GMRES求解器的自適應掃頻電磁仿真方法，其特征在于該方法包括以下步驟： 步驟1、考慮均勻空間中的一個理想導體位于介電常數為ε、磁導率為μ的環境中，在任意一個方向受到入射場的影響，會產生相應的感應電磁流和向外的散射場；假設入射的平面電磁波的入射電場為Einc，磁場為Hinc，照射到理想導體表面上產生散射電場為Esac，散射磁場為Hsac，在理想導體內部，內部電場Ein和內部磁場Hin均為零； 步驟2、假設仿真頻段設定為[f1,fn]，根據二分法插值理論，可知第一輪選取的頻率點有三個，分別為f1、fn和fmid，f1為仿真的起始頻率點，fn為仿真的結束頻率點，fmid為起始和結束頻率點的中間值，fmid＝f1+fn2； 步驟3、對當前選取的頻率點采用矩量法求解導體內部電磁場，構建矩陣方程； 步驟4、采用加速GMRES求解器迭代求解矩陣方程得到仿真頻率點的電流值；具體是： 4-1計算當前頻率點的電流值；具體是： 4-1-1對于一個矩陣方程7，初始化Ii＝I0，I0初始化為0，迭代次數i＝0； 4-1-2根據公式7可知公式11，進而得到殘差ri； ri＝V-ZIi式11 4-1-3判斷殘差ri是否小于人為設定的閾值k時，若是則認為當前頻率點的Ii即為所求的電流值，否則執行步驟4-1-4； 4-1-4將殘差ri正交化處理后結果作為初始Krylov子空間的基向量，然后進行Arnoldi迭代，得到一個近似的解向量Ii+1；然后返回至步驟4-1-2，并更新迭代次數i＝i+1； 4-2計算第三個頻率點的電流值；具體是： 4-2-1根據步驟4-1計算步驟2f1、fn和fmid中任意兩個頻率點的電流值，利用插值算法計算出第三個頻率點的預估電流值，將Ii初始化為第三個頻率點的預估電流值，初始化迭代次數i＝0； 4-1-2根據公式11，計算得到殘差ri； 4-1-3判斷殘差ri是否小于1時，若是則認為當前頻率點的預估電流值為有效值，否則將Ii重置為0，重復操作步驟4-1-2至4-1-4； 步驟5、仿真的準確性評估： 對步驟2f1、fn和fmid的電流值結果進行收斂判斷，如果滿足收斂條件則停止仿真計算，如果不滿足收斂條件則利用二分法插值理論進行下一輪增加新的采樣頻率點，重復步驟3-5； 步驟6、根據上述計算得到的電流值即可獲知電磁仿真參數，實現電磁仿真。

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