東方晶源微電子科技(北京)股份有限公司張生睿獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉東方晶源微電子科技(北京)股份有限公司申請的專利一種版圖修正方法、系統、計算機設備、存儲介質及計算機程序產品獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN118446176B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202410572757.1,技術領域涉及:G06F30/398;該發明授權一種版圖修正方法、系統、計算機設備、存儲介質及計算機程序產品是由張生睿;俞宗強;施偉杰;鄢昌蓮設計研發完成,并于2024-05-09向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種版圖修正方法、系統、計算機設備、存儲介質及計算機程序產品在說明書摘要公布了:本發明涉及計算光刻技術領域,特別涉及一種版圖修正方法、系統、計算機設備、存儲介質及計算機程序產品。其中,方法包括:提供初始掩模版圖,對初始掩模版圖進行光學臨近修正處理,獲得中間掩模版圖;提供壞點檢測模型,壞點檢測模型基于真實掩模硅片圖像訓練獲得;基于中間掩模版圖及壞點檢測模型獲取中間掩模版圖上的壞點;對中間掩模版圖上壞點進行修復,獲得修正后的最終掩模版圖。可以理解的,通過壞點檢測模型來彌補光學臨近修正模型中光刻膠模型的普適性局限導致的通用性較差的問題,可以更好地對掩模版圖上的壞點進行檢測和修復;該方法提高了掩模版圖修正的準確性,減少了硅片上電路圖形的壞點數量,提升了集成電路制造的良率。
本發明授權一種版圖修正方法、系統、計算機設備、存儲介質及計算機程序產品在權利要求書中公布了:1.一種版圖修正方法,其特征在于,所述方法包括: 提供初始掩模版圖,對初始掩模版圖進行光學臨近修正處理,獲得中間掩模版圖; 提供壞點檢測模型,所述壞點檢測模型包括對掩模版圖進行仿真的仿真子模型,所述壞點檢測模型基于真實掩模硅片圖像訓練獲得,訓練所述壞點檢測模型時,以掩模硅片圖像獲取的輪廓作為基礎輪廓,以所述壞點檢測模型仿真后得到模型輪廓作為參照輪廓,以基礎輪廓和參照輪廓之間的差值作為評價參數,迭代優化所述壞點檢測模型,直至所述基礎輪廓和所述參照輪廓之間的差值小于預設值;基于中間掩模版圖及壞點檢測模型獲取中間掩模版圖上的壞點; 對中間掩模版圖上壞點進行修復,獲得修正后的最終掩模版圖。
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