華中科技大學樊寬軍獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉華中科技大學申請的專利一種微波電子槍中場致發射電子生成位姿的獲取方法獲國家發明授權專利權,本發明授權專利權由國家知識產權局授予,授權公告號為:CN118857191B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的發明授權授權公告中獲悉:該發明授權的專利申請號/專利號為:202410845478.8,技術領域涉及:G01B21/00;該發明授權一種微波電子槍中場致發射電子生成位姿的獲取方法是由樊寬軍;余爍淳;劉錚錚;李小飛;王健;胡琛設計研發完成,并于2024-06-27向國家知識產權局提交的專利申請。
本一種微波電子槍中場致發射電子生成位姿的獲取方法在說明書摘要公布了:本發明公開了一種微波電子槍中場致發射電子生成位姿的獲取方法,屬于電子元器件技術領域,所述定位方法包括:測量場致發射電子在熒光屏上的目標實際位姿;所述場致發射電子在微波電子槍內部生成和出射,并經預設磁場路徑聚焦投射到所述熒光屏上;建立在所述微波電子槍內生成場致發射電子的初始可能位姿與到達所述熒光屏時的目標參考位姿之間映射關系;利用所述場致發射電子的每個所述初始可能位姿和所述映射關系,得到每個所述場致發射電子到達所述熒光屏時的目標參考位姿;從多個所述初始可能位姿中選出最準確地所述場致發射電子的生成位姿,可精確地確定場致發射電流在微波電子槍內生成時的具體位置和出射相位。
本發明授權一種微波電子槍中場致發射電子生成位姿的獲取方法在權利要求書中公布了:1.一種微波電子槍中場致發射電子生成位姿的獲取方法,其特征在于,包括: S1:測量場致發射電子在熒光屏上的目標實際位姿;所述目標實際位姿包括實際徑向位置和實際旋轉角度;所述場致發射電子在微波電子槍內部生成和出射,并經預設磁場路徑聚焦投射到所述熒光屏上; S2:建立在所述微波電子槍內生成場致發射電子的初始可能位姿與到達所述熒光屏時的目標參考位姿之間映射關系;所述初始可能位姿包括:初始徑向位置和初始發射相位;所述目標參考位姿包括參考徑向位置和參考旋轉角度; S3:利用所述場致發射電子的每個所述初始可能位姿和所述映射關系,得到每個所述場致發射電子到達所述熒光屏時的目標參考位姿; S4:從多個所述初始可能位姿中選出其目標參考位姿與所述目標實際位姿差距最小對應的一個作為所述場致發射電子的生成位姿。
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