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龍圖騰網獲悉南京綠芯集成電路有限公司申請的專利功率MOS管組件獲國家實用新型專利權，本實用新型專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN223310188U 。

龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-05發布的實用新型授權公告中獲悉：該實用新型的專利申請號/專利號為：202421687907.5，技術領域涉及：H10D30/60；該實用新型功率MOS管組件是由林昌偉設計研發完成，并于2024-07-16向國家知識產權局提交的專利申請。

本功率MOS管組件在說明書摘要公布了：本實用新型公開一種功率MOS管組件，包括：N型硅襯底和位于N型硅襯底上表面的N型外延層，所述N型外延層內間隔地設置有至少2個單胞單元，此單胞單元進一步包括P型阱區和溝槽，所述P型阱區位于所述N型外延層的上部；重摻雜N型源極區遠離溝槽一端周邊和下方包覆有一中摻雜N型接觸部，此中摻雜N型接觸部上端與P型阱區上端齊平且與一第二金屬層接觸，所述中摻雜N型接觸部下方為P型阱區的區域；相鄰單胞單元之間的P型阱區具有一P型離子柱，此P型離子柱上端與第二絕緣介質層接觸，下端延伸至N型外延層。本實用新型功率MOS管組件提高了高頻開關的響應速度，降低了在高頻狀態器件使用的損耗，從而擴展了MOS晶體管組件的應用范圍。

本實用新型功率MOS管組件在權利要求書中公布了：1.一種功率MOS管組件，其特征在于：包括：N型硅襯底（1）和位于N型硅襯底（1）上表面的N型外延層（2），所述N型硅襯底（1）下表面具有一重摻雜N型漏極區（11），所述重摻雜N型漏極區（11）與N型硅襯底（1）相背的表面具有一第一金屬層（3）； 所述N型外延層（2）內間隔地設置有至少2個單胞單元（13），此單胞單元（13）進一步包括P型阱區（4）和溝槽（5），所述P型阱區（4）位于所述N型外延層（2）的上部，位于P型阱區（4）內的溝槽（5）從P型阱區（4）延伸至N型外延層（2）內，所述P型阱區（4）上部內且位于溝槽（5）的周邊具有重摻雜N型源極區（8），所述溝槽（5）內具有一柵極部（6），此柵極部（6）與溝槽（5）內壁之間具有一絕緣層（7）； 所述重摻雜N型源極區（8）遠離溝槽（5）一端周邊和下方包覆有一中摻雜N型接觸部（12），此中摻雜N型接觸部（12）上端與P型阱區（4）上端齊平且與一第二金屬層（10）接觸，所述中摻雜N型接觸部（12）下方為P型阱區（4）的區域； 相鄰單胞單元（13）之間的P型阱區（4）具有一P型離子柱（14），此P型離子柱（14）上端與第二絕緣介質層（92）接觸，下端延伸至N型外延層（2），一第一絕緣介質層（91）位于溝槽（5）上方并覆蓋于柵極部（6）上，所述第二金屬層（10）位于所述絕緣介質層（9）、重摻雜N型源極區（8）上。

如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人南京綠芯集成電路有限公司，其通訊地址為：211806 江蘇省南京市浦口區步月路29號12幢-245；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。