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龍圖騰網(wǎng)獲悉臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司申請(qǐng)的專利包括硅內(nèi)連線管芯的裝置結(jié)構(gòu)及包括中介層的裝置結(jié)構(gòu)獲國(guó)家實(shí)用新型專利權(quán)，本實(shí)用新型專利權(quán)由國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號(hào)為：CN223308990U 。

龍圖騰網(wǎng)通過(guò)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的實(shí)用新型授權(quán)公告中獲悉：該實(shí)用新型的專利申請(qǐng)?zhí)?專利號(hào)為：202421696558.3，技術(shù)領(lǐng)域涉及：H01L23/48；該實(shí)用新型包括硅內(nèi)連線管芯的裝置結(jié)構(gòu)及包括中介層的裝置結(jié)構(gòu)是由俞正明;林振宏;劉健豪;白尉芬;洪麗鈞;陳燕銘設(shè)計(jì)研發(fā)完成，并于2024-07-17向國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請(qǐng)。

本包括硅內(nèi)連線管芯的裝置結(jié)構(gòu)及包括中介層的裝置結(jié)構(gòu)在說(shuō)明書摘要公布了：本實(shí)用新型提供一種包括硅內(nèi)連線管芯的裝置結(jié)構(gòu)及包括中介層的裝置結(jié)構(gòu)，硅內(nèi)連線管芯包括：襯底穿孔TSV結(jié)構(gòu)，延伸穿過(guò)硅襯底；絕緣間隔層，包括上覆于所述硅襯底的頂表面之上的水平延伸部分及在側(cè)向上環(huán)繞所述TSV結(jié)構(gòu)中的相應(yīng)一者的多個(gè)管狀絕緣材料部分；以及前金屬性屏蔽層，包括水平延伸金屬性屏蔽部分及至少一個(gè)管狀金屬性屏蔽部分，所述至少一個(gè)管狀金屬性屏蔽部分在側(cè)向上環(huán)繞所述多個(gè)管狀絕緣材料部分中的相應(yīng)一者。

本實(shí)用新型包括硅內(nèi)連線管芯的裝置結(jié)構(gòu)及包括中介層的裝置結(jié)構(gòu)在權(quán)利要求書中公布了：1.一種包括硅內(nèi)連線管芯的裝置結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述硅內(nèi)連線管芯包括： 襯底穿孔結(jié)構(gòu)，延伸穿過(guò)硅襯底； 絕緣間隔層，包括上覆于所述硅襯底的頂表面之上的水平延伸部分及在側(cè)向上環(huán)繞所述襯底穿孔結(jié)構(gòu)中的相應(yīng)一者的多個(gè)管狀絕緣材料部分；以及 前金屬性屏蔽層，包括水平延伸金屬性屏蔽部分及至少一個(gè)管狀金屬性屏蔽部分，所述至少一個(gè)管狀金屬性屏蔽部分在側(cè)向上環(huán)繞所述多個(gè)管狀絕緣材料部分中的相應(yīng)一者。

如需購(gòu)買、轉(zhuǎn)讓、實(shí)施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請(qǐng)人或?qū)＠麢?quán)人臺(tái)灣積體電路制造股份有限公司，其通訊地址為：中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)工業(yè)園區(qū)新竹市力行六路八號(hào)；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。