三星電子株式會社金在煥獲國家專利權
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龍圖騰網獲悉三星電子株式會社申請的專利制造半導體裝置的方法獲國家發明授權專利權，本發明授權專利權由國家知識產權局授予，授權公告號為：CN111199968B 。
龍圖騰網通過國家知識產權局官網在2025-09-16發布的發明授權授權公告中獲悉：該發明授權的專利申請號/專利號為：201911075453.X，技術領域涉及：H10D89/10；該發明授權制造半導體裝置的方法是由金在煥;姜在賢;申秉澈;樸起興;白承元設計研發完成，并于2019-11-06向國家知識產權局提交的專利申請。
本制造半導體裝置的方法在說明書摘要公布了：提供了制造半導體裝置的方法。制造半導體裝置的方法包括從目標設計布局中選擇目標圖案。目標圖案包括：目標網；電連接到目標網的目標過孔；以及交叉網，其電連接到目標過孔并且位于與目標網不同的水平高度上。該方法包括分析與目標網相鄰的外圍圖案。此外，該方法包括生成冗余網和將冗余網和交叉網電連接的冗余過孔。
本發明授權制造半導體裝置的方法在權利要求書中公布了：1.一種制造半導體裝置的方法，所述方法包括： 提供包括所述半導體裝置的設計信息和工藝信息的數據庫； 通過執行使用基于所述數據庫的特征集的機器學習來生成預測模型，其中所述預測模型預測所述半導體裝置的壞圖案； 使用所述預測模型從目標設計布局中選擇目標圖案，其中所述目標圖案包括： 目標網； 目標過孔，其電連接到所述目標網；和 交叉網，其電連接到所述目標過孔并且位于與所述目標網不同的水平高度上； 分析與所述目標網相鄰的外圍圖案； 基于分析所述外圍圖案，生成與所述交叉網相交的冗余網，所述冗余網位于與所述目標網相同的水平高度上，并且生成電連接所述冗余網和所述交叉網的冗余過孔；和 檢查所述冗余網和所述冗余過孔，以確定所述冗余網和所述冗余過孔是否滿足預定設計規則。
如需購買、轉讓、實施、許可或投資類似專利技術，可聯系本專利的申請人或專利權人三星電子株式會社，其通訊地址為：韓國京畿道；或者聯系龍圖騰網官方客服，聯系龍圖騰網可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網”。
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1、本報告根據公開、合法渠道獲得相關數據和信息，力求客觀、公正，但并不保證數據的最終完整性和準確性。
2、報告中的分析和結論僅反映本公司于發布本報告當日的職業理解，僅供參考使用，不能作為本公司承擔任何法律責任的依據或者憑證。
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