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龍圖騰網(wǎng)獲悉浙江大學(xué)申請的專利兼容CMOS工藝的相變材料后道集成加工方法及器件獲國家發(fā)明授權(quán)專利權(quán)，本發(fā)明授權(quán)專利權(quán)由國家知識產(chǎn)權(quán)局授予，授權(quán)公告號為：CN119045120B 。

龍圖騰網(wǎng)通過國家知識產(chǎn)權(quán)局官網(wǎng)在2025-09-05發(fā)布的發(fā)明授權(quán)授權(quán)公告中獲悉：該發(fā)明授權(quán)的專利申請?zhí)?專利號為：202411159989.0，技術(shù)領(lǐng)域涉及：G02B6/132；該發(fā)明授權(quán)兼容CMOS工藝的相變材料后道集成加工方法及器件是由林宏燾;王威權(quán)設(shè)計研發(fā)完成，并于2024-08-22向國家知識產(chǎn)權(quán)局提交的專利申請。

本兼容CMOS工藝的相變材料后道集成加工方法及器件在說明書摘要公布了：本發(fā)明公開了一種兼容CMOS工藝的相變材料后道集成加工方法及器件，加工方法包括：在絕緣體上硅晶片上光子器件的圖案化、注入和離子激活，在上層沉積氧化硅并刻蝕窗口并外延生長鍺層作為刻蝕停止層，在上層沉積氧化硅并在鍺層和摻雜硅上方刻蝕氧化硅溝槽用以填充金屬，選擇性地蝕刻晶片的功能區(qū)中硅波導(dǎo)上方的氧化硅并去除鍺層上方的金屬及鍺，通過磁控濺射在去除鍺層的功能區(qū)域沉積相變材料的薄膜，在溝槽窗口采用剝離工藝剝離或刻蝕工藝后退火處理，沉積氧化鋁保護(hù)層并使金屬電極裸露。引入CMOS兼容的鍺層作為硅波導(dǎo)上的蝕刻停止層，以溝槽的低插入損耗蝕刻深氧化硅溝槽從而集成各種相變材料，使相變材料與現(xiàn)有硅基光電子半導(dǎo)體制造工藝兼容集成。

本發(fā)明授權(quán)兼容CMOS工藝的相變材料后道集成加工方法及器件在權(quán)利要求書中公布了：1.一種兼容CMOS工藝的相變材料后道集成加工方法，其特征在于，所述加工方法包括： 在絕緣體上硅晶片上使用掩膜版進(jìn)行硅蝕刻以形成具有器件圖案的晶片； 在所述晶片中硅的特定區(qū)域進(jìn)行注入和離子激活以在硅的特定區(qū)域形成重?fù)诫s硅； 在未摻雜的硅上層沉積厚度為300-500nm的氧化硅并刻蝕窗口，并在所述刻蝕窗口內(nèi)外延生長鍺層作為刻蝕停止層； 在所述晶片上沉積氧化硅并在鍺層和摻雜硅上方刻蝕氧化硅溝槽后進(jìn)行金屬填充，通過該方法連續(xù)鋪設(shè)多層電路并制造得到金屬電極； 選擇性地蝕刻所述晶片的功能區(qū)中硅波導(dǎo)上方的氧化硅并用濕法刻蝕工藝去除鍺層上方的金屬及鍺；采用濕法蝕刻工藝去除功能區(qū)上方的鍺層；所述硅波導(dǎo)也即是未摻雜的硅； 通過磁控濺射在去除鍺層的功能區(qū)域沉積相變材料的薄膜；所述相變材料的薄膜覆蓋所述硅波導(dǎo)及硅波導(dǎo)外圍的二氧化硅溝槽； 在溝槽窗口采用剝離工藝進(jìn)行剝離，得到芯片； 將芯片置于氮氣、氬氣等惰性氣體環(huán)境中，在150～400℃的溫度范圍內(nèi)退火10~60分鐘； 通過原子層沉積工藝在芯片的上層沉積厚度為20~50nm的氧化鋁保護(hù)層；對金屬電極上方的氧化鋁和氧化硅進(jìn)行蝕刻以形成接觸窗口并使金屬電極裸露。

如需購買、轉(zhuǎn)讓、實施、許可或投資類似專利技術(shù)，可聯(lián)系本專利的申請人或?qū)＠麢?quán)人浙江大學(xué)，其通訊地址為：310000 浙江省杭州市西湖區(qū)余杭塘路866號；或者聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)官方客服，聯(lián)系龍圖騰網(wǎng)可撥打電話0551-65771310或微信搜索“龍圖騰網(wǎng)”。